台灣相關半導體正在加緊投資 EUV 曝光技術，技術愈發強勢，與南韓三星競爭的優勢逐漸擴大！
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和碩董事長童子賢今（17）日出席線上論壇，談及電動車布局，童子賢說到，不管是赴美，或赴東南亞等地設廠，「台灣不能孤芳自賞」，他認為，台灣是全球高科技參與者，應該擁抱成為跨國企業的機會。
以大客戶特斯拉過去2年的成長速度為例，在2019年以前，特斯拉量產能力都低於100萬台，但現在已經達到指標車廠BMW、賓士產量的一半左右‼ 童子賢指出，汽車電子化的趨勢，讓台灣有機會打入市場，不只是跨時代轉折，更是台灣的新機會。
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記憶體產業發展成寡佔市場，關鍵大廠動向備受關注，特別是近期海力士、美光擴廠投資EUV表現積極，面對競爭對手動作頻頻，南亞科如何應戰？
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韓媒：美光緊追＋南亞科差距縮，動搖三星記憶體一哥地位
April 16, 2021 by MoneyDJ
三星電子灑錢投資晶圓代工和人工智慧（AI）半導體，全力搶攻相關市場，同時對記憶體部門的投資卻相對保守。韓媒指稱，競爭對手技術躍進，動搖三星的記憶體龍頭地位。
韓媒 Pulse、BusinessKorea 報導，三星稱霸全球記憶體市場 29 年之久，但近年來市佔不斷下滑。TrendForce 數據顯示，三星 DRAM 市佔 2016 年高達 48%，2020 年降至 43.1%，去年第四季更跌至 42.1%。NAND flash 方面，三星市佔也從 2017 年 40% 以上，2020 年第四季降至 33.4%。
三星原本持續技術領先，在業界無人能敵，但是近來對手技術大幅提升，削弱了三星的領導地位。去年 11 月，美國業者美光（Micron）搶在三星之前，率先發表全球首見的第七代 3D NAND flash 共 176 層。三星仍在生產第六代 3D NAND flash，第七代預定要 2021 年下半才會問世。
不只如此，美光 DRAM 領域也快速追上三星。美光一如三星，已量產 10 奈米 DRAM，正使用極紫外光（EUV）微影機台研發次世代 DRAM 製程，目標 2021 年上半發表首款 EUV DRAM。
另外，美光打算併購 NAND flash 二哥鎧俠（Kioxia），如果兩廠順利合併，美光 NAND flash 市佔將追上三星。
不只美光，台廠南亞科也縮小和三星的技術差距。南亞科正加速研發，要用 EUV 技術生產晶片。中廠則在政府金援下迅速升級技術。
https://technews.tw/2021/04/16/shake-samsungs-memory-1st-status/
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