/ intel / #周末認真文系列
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因為近期在工作產出上實在跟產業分析沒甚麼關係,所以我不好說自己是產業分析師 ... 好吧,我都自稱台灣最著名的產業分析帥。就離分析師少一點點嘛。
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因為工作的關係,Intel 的進展是我每季的研究重點之一。說研究重點講得有點過頭?但我肯定每季會花 1-2 個拼湊起來的工作天去看看他的業務重點 & 營收狀況
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簡單的講一下過去十年的 Intel ... 我不覺得 Intel 過去十年的「擴大營業範疇」有甚麼巨大的成功。當然,這畢竟是跟 CPU 比,當量體這麼大時,那些「小型購併」看來沒甚麼,但在台灣產業來講每個都是天價級的了。我只是想回頭來看 Intel 的運算 ... 只要 Intel 的運算沒有突破性的成長,那麼不管小的領域怎麼「吃」,都胖不到 Intel 身上
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( 以下跳過十萬字 Intel 財報的真實數字)
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簡單的來說:Intel 的手機 AP 算失敗的一蹋糊塗。車子我們先不談,究竟是 nvidia 比較肥?還是會肥到 Intel ?我們等著看。
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我們很專心的看 Intel 在終端裝置 (主要談 PC) 跟伺服器。如果你持續在讀裝置端的趨勢或伺服器端的趨勢,你會發覺,對 Intel 的長期發展都是看壞的。
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為什麼?因為超級第一的 Intel 過去都以高市佔率的形式存在市場,而這個高獲利高毛利的方式,正是他得以持續的投入研發、補貼、行銷,進而用很囂張的 tick-tock 產品更新模式來「管控」生態系統不至於超出控制,得以穩定的發展
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太多負面因素的消息。不談 Chrome 類的產品不需要高階 CPU,我們單純談 apple M1、AMD、類 arm-based CPU 就好,或者進一步談大一點如 Microsoft 的離心、中國自製CPU 這些不痛不癢但值得觀察的新聞
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又或者你看 server cpu 的超級第一 Intel ... 而 server 端有沒有甚麼小變動?有喔。例如說 nvidia 最近的舉動。
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當 Intel 在產業當慣超級第一時,你要看長期趨勢,你不應該看「營收的值或者同比、環比」數值,你應該看的是 Intel 市佔率的下滑。所以我一值覺得前一任 Intel CEO 離開的 timing 真的是太棒了,即便有很多隱形的潛在因素不利 Intel ... 但因為整體市場需求 & 產品類型的變化,Intel 並未在上一任執行長任內展現巨大的頹勢
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原本還想寫的。但一來我這篇也沒多認真拿一堆數據出來佐證,第二寫多了還挺煩人的 ...
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我只是想說,就像在酸IBM一樣,Intel 的存在太過驚人了,所以似乎很能找得到一些吐槽點。但如果你從近期 Intel 的發展趨勢來看,Intel 就算晶圓代工坐起來?他也只是要告訴大家,延續 IDM 2.0 的基礎很穩固,這個對於他的本業是很有幫助的;如果大家只在意他的 IDM 2.0,或者執行長真的持續強調他 IDM 2.0 的可行性,那我們九成就可以推測他在轉移焦點 ...
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講具體一點,我今年看蘋果發表會的關鍵,就是要看蘋果鋪天蓋地的取代了 Intel CPU 後,消費者究竟有沒有出來說「你這樣不行」或者是全面的說「我這樣很可以」?
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如果Apple走得順了 ... 先別說其他巨頭心裡怎麼想?我很好奇MS 會不會自己弄些甚麼,好吸引他的 OEM 夥伴們一起鬧個事 ...
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決定台灣未來的SiC、GaN
2021/1/11(一)大家早,我是 LEO
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■ 什麼是SiC 及GaN
碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)現在全世界矚目的焦點,全新的第三代半導體材料,相較於第一代半導體材料的矽(Si)、第二代半導體材料的砷化鎵(GaAs)相比,承受更高電壓,電流更快通過,具有低耗能等優點,兩者都被稱為未來半導體界的明日之星。
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也許有些人還不知道什麼是半導體,一般的材料導電或不導電(絕緣)分成導體與非導體(絕緣體),半導體它厲害的地方在於,將它施加電壓時就會導電、不施加電壓時就會絕緣-不導電,導電與否的能力就是由材料的傳導性質所決定,光是這個發現就得了一個物理諾貝爾獎。
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碳化矽、氮化鎵兩者都是未來半導體的關鍵材料,節能減碳的趨勢,各種未來的新興產業,快速充電、車用LiDAR、資料中心、無線充電、電動車、太陽能發電、直流電網、充電樁…等應用都需要高轉換效率的功率半導體。
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■ 寬能隙半導體
為什麼碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)被稱為「寬能隙半導體」,因為它的能隙是Si的三倍多,崩潰電場是Si十倍多,能隙(bandgap)決定了半導體的崩潰電場,就是能承受住多大的電壓,能隙越寬,越能耐高電壓、高電流、高能源轉換效率,矽的能隙寬約是1.17 eV,SiC的能隙寬為3.26 eV,GaN的為3.5eV。
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兩者相比氮化鎵能隙更寬,電子遷移率更高,但熱導率卻更低,耐輻射性能也更優異,被認為更有機會實現低導通電阻、高開關速度的材料。
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■ 全世界競相押寶發展
日本是全球第一個研發氮化鎵的國家,去年10月日本經濟產業省傳出全力發展氮化鎵,5年內撥款90兆日圓 (約25.2兆台幣),動用國家隊力量,資助研發氮化鎵的大學與企業。
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但是,目前碳化矽發展比氮化鎵更成熟,市場研究機構Yole Developpement估計,到2025年SiC元件市場營收將佔據整體電力電子市場的10%以上,同時GaN元件的營收比例則會超過2%。
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SiC元件的知名供應商包括意法半導體(ST)、Cree/Wolfspeed、羅姆(Rohm)、英飛凌(Infineon)、安森美(OnSemi)以及三菱(Mitsubishi Electric),GaN元件的主要供應商,包括PI (Power Integrations)與英飛凌,還有新創公司Navitas Semiconductor、Efficient Power Conversion (EPC)、GaN Systems與Transphorm。
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■ 領頭羊科銳Cree的決心
目前全球SiC龍頭Cree美商科銳,過去30年原本是 LED的領導廠商,全球排名第三,2018年起轉型發展第三代半導體碳化矽材料,並出售LED賺錢業務,下定決心,立志在成為碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)元件領域的強權,2018年EPS -2.81元,2019年 -3.62元,2020年 -1.78元,跨入SiC後大量資本資出,甚至虧損累累,但是最近一年卻飆漲 137%,股價更飆上121.67美元,創歷史新高。
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由此可見市場現在高度期待的是未來電動車、5G、軌道交通、電網、太陽能的廣泛應用,甚至有朝一日全面取代矽基半導體,試想虧錢就飆成這樣,如果開始獲利,股價可能會漲到外太空。
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目前SiC元件最成功的市場領域在電動/混合動力車市場,GaN元件應用於高階智慧型手機的快速充電應用,將成為未來五年的成長主力,Tesla Model 3就採用意法半導體(STM)的SiC半導體模組。
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■ 台灣半導體射月計畫
不管是日本、美國、歐洲、甚至中國都全力發展第三代半導體材料並列入145計畫,除了電動車、節能應用,SiC跟國防、航太有都關係,Si元件工作溫度上限是攝氏100度,SiC可以到200度,特殊設計可以到300度。
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SiC抗輻射,可應用在核電廠,NASA也應用在太空科技上,這種技術國外不可能轉給台灣,政府要求工研院投入研發,成功後把技術和人才完全移轉給漢磊與嘉晶,因為當時只有他們率先投入,這就是台灣的半導體射月計畫。
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■ 漢磊、嘉晶佈局最早
經過8年多的耕耘、著墨最深,領先其他廠商,嘉晶(3016)是國內唯一有能力量產4吋、6吋碳化矽磊晶及6吋氮化鎵磊晶的公司,擁有磊晶專利技術,品質也獲得國際IDM大廠認可。6吋碳化矽晶圓已在試產階段,客戶端電動車需求最大,只要通過驗證,就開始出貨、貢獻營收。
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漢磊(3707),它的650伏特高壓氮化鎵已經通過電動車的車用標準認證,並且開始逐漸導入,吸引國外與台灣多家電動車相關業者洽談合作,未來電動車對SiC、GaN有很高的需求,就連環球晶董座徐秀蘭也表示:估計未來十年內第三代半導體,複合成長率不會輸給現有矽晶圓。
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國際IDM大廠英飛凌、瑞薩、意法半導體,車用營收占比明顯攀升,禁售其柴油車的趨勢就在眼前,國際IDM廠庫存降低,委外代工將更為明顯,甚至漲價,營運動能一路旺至今年上半年,漢磊及嘉晶將優先受惠!
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此外,中美晶(5483)投資35億元,入主砷化鎵晶圓代工廠宏捷科(8086),投入氮化鎵的製程開發,期望能達成互補效應,發展潛力也值得關注。
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【台積電佈局新存儲技術】
近年來,在人工智能(AI)、5G等推動下,以MRAM(磁阻式隨機存取存儲器)、鐵電隨機存取存儲器 (FRAM)、相變隨機存取存儲器(PRAM),以及可變電阻式隨機存取存儲器(RRAM)為代表的新興存儲技術逐漸成為市場熱點。這些新技術吸引各大晶圓廠不斷投入,最具代表性的廠商包括台積電、英特爾、三星和格羅方德(Globalfoundries)。
那麼,這些新興存儲技術為什麼會如此受期待呢?主要原因在於:隨着半導體制造技術持續朝更小的技術節點邁進,傳統的DRAM和NAND Flash面臨越來越嚴峻的微縮挑戰,DRAM已接近微縮極限,而NAND Flash則朝3D方向轉型。
此外,傳統存儲技術在高速運算上也遭遇阻礙,處理器與存儲器之間的「牆」成為了提升運算速度和效率的最大障礙。特別是AI的發展,數據需求量暴增,「牆」的負面效應愈加突出,越來越多的半導體廠商正在加大對新興存儲技術的研發和投資力度,尋求成本更佳、速度更快、效能更好的存儲方案。
從目前來看,最受期待的就是MRAM,各大廠商在它上面投入的力度也最大。MRAM屬於非易失性存儲技術,是利用具有高敏感度的磁電阻材料製造的存儲器,斷電時,MRAM儲存的數據不會丟失,且耗能較低,讀寫速度快,可媲美SRAM,比Flash速度快百倍,在存儲容量方面能替代DRAM,且數據保存時間長,適合高性能應用。
MRAM的基本結構是磁性隧道結,研發難度高,目前主要分為兩大類:傳統MRAM和STT-MRAM,前者以磁場驅動,後者則採用自旋極化電流驅動。
另外,相較於DRAM、SRAM和NAND Flash等技術面臨的微縮困境,MRAM可滿足製程進一步微縮需求。目前,DRAM製程工藝節點為1X nm,已接近極限,而Flash走到20 nm以下後,就朝3D製程轉型了。MRAM製程則可推進至10nm以下。
在過去幾年裏,包括台積電、英特爾、三星、格羅方德等晶圓代工廠和IDM,相繼大力投入MRAM 研發,而且主要着眼於STT-MRAM,也有越來越多的嵌入式解決方案誕生,用以取代Flash、EEPROM和SRAM。
- 台積電
早在2002年,台積電就與工研院簽訂了MRAM合作發展計劃。近些年,該公司一直在開發22nm製程的嵌入式STT-MRAM,採用超低漏電CMOS技術。
2018年,台積電進行了eMRAM芯片的「風險生產」,2019年生產採用22nm製程的eReRAM芯片。
2019年,台積電在嵌入式非易失性存儲器技術領域達成數項重要的里程碑:在40nm製程方面,該公司已成功量產Split-Gate(NOR)技術,支持消費類電子產品應用,如物聯網、智慧卡和MCU,以及各種車用電子產品。在28nm製程方面,該公司的嵌入式快閃存儲器支持高能效移動計算和低漏電製程平台。
在ISSCC 2020上,台積電發佈了基於ULL 22nm CMOS工藝的32Mb嵌入式STT-MRAM。該技術基於台積電的22nm ULL(Ultra-Low-Leakage)CMOS工藝,具有10ns的極高讀取速度,讀取功率為0.8mA/MHz/bit。對於32Mb數據,它具有100K個循環的寫入耐久性,對於1Mb數據,具有1M個循環的耐久性。
它支持在260°C下進行90s的IR迴流焊,在150°C下10年的數據保存能力。它以1T1R架構實現單元面積僅為0.046平方微米,25°C下的32Mb陣列的漏電流僅為55mA。
目前,台積電已經完成22nm嵌入式STT-MRAM技術驗證,進入量產階段。在此基礎上,該公司還在推進16 nm 製程的STT-MRAM研發工作。
除了MRAM,台積電也在進行着ReRAM的研發工作,並發表過多篇基於金屬氧化物結構的ReRAM論文。
工研院電光所所長吳志毅表示,由於新興存儲技術將需要整合邏輯製程技術,因此現有存儲器廠商要卡位進入新市場,門檻相對較高,而台積電在這方面具有先天優勢,因為該公司擁有很強的邏輯製程生產能力,因此,台積電跨入新興存儲市場會具有競爭優勢。
據悉,工研院在新興存儲技術領域研發投入已超過10年,通過元件創新、材料突破、電路優化等方式,開發出了更快、更耐久、更穩定、更低功耗的新一代存儲技術,目前,正在與台積電在這方面進行合作。未來,台積電在新興存儲器發展方面,工研院將會有所貢獻,但具體內容並未透露。
- 三星
三星在MRAM研發方面算是起步較早的廠商,2002年就開始了這項工作,並於2005年開始進行STT-MRAM的研發,之後不斷演進,到了2014年,生產出了8Mb的eMRAM。
三星Foundry業務部門的發展路徑主要分為兩條,從28nm節點開始,一條是按照摩爾定律繼續向下發展,不斷提升FinFET的工藝節點,從14nm到目前的7nm,進而轉向下一步的5nm。
另一條線路就是FD-SOI工藝,該公司還利用其在存儲器製造方面的技術和規模優勢,着力打造eMRAM,以滿足未來市場的需求。這方面主要採用28nm製程。
三星28nm製程FD-SOI(28FDS)嵌入式NVM分兩個階段。第一個是2017年底之前的電子貨幣風險生產,第二個是2018年底之前的eMRAM風險生產。並同時提供eFlash和eMRAM(STT-MRAM)選項。
該公司於2017年研製出了業界第一款採用28FDS工藝的eMRAM測試芯片。
2018年,三星開始在28nm平台上批量生產eMRAM。2019年3月,該公司推出首款商用eMRAM產品。據悉,eMRAM模塊可以通過添加三個額外的掩膜集成到芯片製造工藝的後端,因此,該模塊不必要依賴於所使用的前端製造技術,允許插入使用bulk、FinFET或FD-SOI製造工藝生產的芯片中。
三星表示,由於其eMRAM在寫入數據之前不需要擦除週期,因此,它比eFlash快1000倍。與eFlash相比,它還使用了較低的電壓,因此在寫入過程中的功耗極低。
2018年,Arm發佈了基於三星28FDS工藝技術的eMRAM編譯器IP,包括一個支持18FDS (18nm FD-SOI工藝)的eMRAM編譯器。這一平台有助於推動在5G、AI、汽車、物聯網和其它細分市場的功耗敏感應用領域的前沿設計發展。
2019年,三星發佈了採用28FDS工藝技術的1Gb嵌入STT-MRAM。基於高度可靠的eMRAM技術,在滿足令人滿意的讀取,寫入功能和10年保存時間的情況下,可以實現90%以上的良率。並且具備高達1E10週期的耐久性,這些對於擴展eMRAM應用有很大幫助。
2019年底,Mentor宣佈將為基於Arm的eMRAM編譯器IP提供IC測試解決方案,該方案基於三星的28FDS工藝技術。據悉,該測試方案利用了Mentor的Tessent Memory BIST,為SRAM和eMRAM提供了一套統一的存儲器測試和修復IP。
- Globalfoundries(格羅方德半導體股份有限公司)
2017年,時任Globalfoundries首席技術官的Gary Patton稱,Globalfoundries已經在其22FDX(22nm製程的FD-SOI工藝技術)製程中提供了MRAM,同時也在研究另一種存儲技術。
由於Globalfoundries重點發展FD-SOI技術,特別是22nm製程的FD-SOI,已經很成熟,所以該公司的新興存儲技術,特別是MRAM,都是基於具有低功耗特性的FD-SOI技術展開的。
今年年初,Globalfoundries宣佈基於22nm FD-SOI 平台的eMRAM投入生產。該eMRAM技術平台可以實現將數據保持在-40°C至+125°C的温度範圍內,壽命週期可以達到100,000,可以將數據保留10年。該公司表示,正在與多個客户合作,計劃在2020年安排多次流片。
據悉,該公司的eMRAM旨在替代NOR閃存,可以定期通過更新或日誌記錄進行重寫。由於是基於磁阻原理,在寫入所需數據之前不需要擦除週期,大大提高了寫入速度,宏容量從4-48Mb不等。
- 英特爾
英特爾也是MRAM技術的主要推動者,該公司採用的是基於FinFET技術的22 nm製程。
2018年底,英特爾首次公開介紹了其MRAM的研究成果,推出了一款基於22nm FinFET製程的STT-MRAM,當時,該公司稱,這是首款基於FinFET的MRAM產品,並表示已經具備該技術產品的量產能力。
結語
由於市場需求愈加凸顯,且有各大晶圓廠大力投入支持,加快了以MRAM為代表的新興存儲技術的商業化進程。未來幾年,雖然DRAM和NAND Flash將繼續站穩存儲芯片市場主導地位,但隨着各家半導體大廠相繼投入發展,新興存儲器的成本將逐步下降,可進一步提升 MRAM等技術的市場普及率。
原文:
https://mp.weixin.qq.com/s/sMZ0JwclWf1zAEPkW8Rn0Q
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我喜歡用IDM的原因是可以直接在看影音串流時,影片上方就會有下載提示.
如果影片選擇高畫質時, IDM也會下載高畫質的版本.
目前試過其他免費的軟體(BitComet和FDM),都沒有比IDM便利的.
順便借問一下,
目前有支援免空下載+HTTP+BT的下載程式嗎?
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