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cvd 製程順序 在 [討論] 半導體四大Module操度? - 看板Tech_Job - 批踢踢實業坊 的推薦與評價


作者HTCOneE5566 (LongLiveFor5566)
看板Tech_Job
標題[討論] 半導體四大Module操度?
時間Sat Jul 30 13:55:45 2016



各位大大好，

常常聽到有人說fab端四大module就是超級屎缺，

怎麼比也就是挑個沒那麼臭的來吃，

以EE來說常見的排名好像是 etch = litho > diffusion = thin film...

很少看到以PE的的角度來看，同為難兄難弟，排名也是差不多嗎?

如果再細分module內如CVD、PVD、CMP等等，

有沒有個屎度power rank可以排阿，顆顆。


--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 140.124.42.71
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1469858148.A.357.html
推 mlda888: 果頁 果頁 07/30 14:01
噓 eric210: 56頭噓 學生文 07/30 14:01
推 ue28: 要怎樣的忍受度 才可以下去輪流體驗 然後排名那個最臭……… 07/30 14:03
→ QuantumHsia: 07/30 14:23
推 skytakezou: Litho=etch>diff>>thin flim>>>>non moudule 07/30 14:29
噓 burza: 都很操 07/30 14:30
推 Azrael25: etch>>litho...蝕刻很多東西是無法拉RWK的...而且Q time 07/30 14:31
→ Azrael25: 又緊 07/30 14:31
推 benden: etch>>> 07/30 14:33
→ benden: 哪站鳥都是etch後抓到，INT:請蝕刻釐清 07/30 14:33
→ SamMark: 蝕刻>黃光>薄膜>擴散>研磨 07/30 14:35
噓 newfighter: 暑假一堆學生po廢文 07/30 15:06
推 jennfeng: 同一fab不同單位的設備或製程，彼此間薪資幾乎無差異， 07/30 15:29
→ jennfeng: 問這算實際 07/30 15:29
噓 deltarobot: 一句話 看單位 07/30 15:37
推 s861261: Yed defect worse 先打黃光 07/30 15:59
→ ssmmss: 看104開缺就知道 07/30 16:08
→ ssmmss: 黃光蝕刻背景的永遠不怕找不到工作 07/30 16:09
噓 gn01192643: 學生問題？站點的差異都不知道 07/30 16:23
推 blacktruth: 吃洞填洞都賽 07/30 16:26
噓 book2381: 遠離產線有困難嗎? 07/30 16:43
推 Ec73Iwai: Litho&Etch一定排前兩賽的 剩下的不用爭了 07/30 17:12
噓 cyhoza: 蝕刻說第二只有黃光敢說第一，你覺得咧？ 07/30 17:13
推 riddle1304: ETCH....其他看不到車尾燈 07/30 17:23
推 xcri0922: CVD>PVD>CMP 07/30 17:25
推 wvvw111517: CMP有這麼爽? 感覺不出來... 07/30 17:42
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推 Vencol: 酸槽 imp 管子 一家親 07/30 18:31
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噓 vilia0227: 學生文滾 07/30 18:46
噓 march30201: 黃光第二賽 誰敢喊第一？ 07/30 19:03
噓 foreverkn: 最近要找工作了? 07/30 19:04
推 e76628: 酸槽第一賽 07/30 19:28
→ aptivaibm: 越容易被檢測出來的單位越賽.... 07/30 20:04
→ aptivaibm: 舉例來說,外觀容易檢測而且最即時,電性往往在很後面 07/30 20:06
推 aegefds: EE角度 thin film CVD蠻賽的 07/30 20:50
推 greenwing: 完全EE立場看DEFECT才是蝕刻黃光賽 PE要看單位&製程 07/30 21:31
噓 ybw: 說酸槽第一塞的，是因為在大碩嗎？不然不是爽槽嗎？ 07/30 22:09
噓 nanodiao: 在菜正元底下最賽 07/30 22:18
推 juangpeiyi: 黃光 ASML tool 最賽啊 蝕刻還是洗洗睡吧 07/30 22:59
推 wolf5212: 請問洗淨算哪個module?推薦嗎? 07/30 23:20
推 Ec73Iwai: 洗淨要比"賽"還要排隊 就放心去應徵吧 07/30 23:53
→ CC0303: 賽不賽沒做過都不知道.跳酸槽吧很缺人 07/31 10:02
→ swyehe: 擴散imp超鳥的 竟然還不算操？ 07/31 10:24
推 chainsaw: 網路上都是屎刻黃光賽...都在敝公司就是長film該死... 07/31 21:14
→ chainsaw: 最好打最好怪罪... 07/31 21:14
→ jengmei: mfg課長: 08/01 13:30
推 unwoman: 12吋沒有不賽的 08/03 21:58






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#62. 6.2 氣候變遷與溫室效應氣體減量

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#63. 以化學氣相沉積法製備之二氧化鈦光催化活性研究(2/2)

表2-3 各種CVD 製程之相對優缺與應用……………………….. 15 ... 經常使用在積體電路製程中的CVD 技術有：(1)大氣壓化學氣相 ... 薄膜沈積的機構，依發生的順序，可以分為以下.

#64. 半導體四大製程順序的網友實戰分享跟評價，在鉅亨網、聚財網

半導體四大製程半導體景氣明年回升. doping(摻雜) B.薄膜→CVD(化學氣相沉積)，特別記錄下來給無法參與發表會的朋友參考。 半導體設備商製程工程師的工作 ...

#65. 化學氣相沉積– 物理沉積 - Habihia

在化學氣相沉積CVD 中，化學前驅物被導入到製程反應室，熱能或電漿在此處引發化學反應，將反應的副產物沉積在基板上。原子層沉積ALD 的工作方式是依照自訂的順序導入反應 ...

#66. 半導體製程用濕式化學品的發展趨勢 - 廠務123 分享區

濕式化學品(wet chemicals)、濕式清洗(wet cleaning)、濕式蝕刻(wet etching)、黃光(photolithography)、化學氣相沉積(CVD)、化學機械研磨(CMP)。

#67. 黃光蝕刻擴散薄膜順序

化學氣相沉積(CVD) 2. 圖釋. 2022-09-27. 阿司匹林; 蝕刻; 金屬濺鍍(PVD); 1; 植入; 3. 黃光蝕刻擴散薄膜順序WAFER四大製程@ 這是我的部落格WAFER四大製程(應該是五 ...

#68. 半導體製程大四

tech_job - PTT職涯區四大製程順序- 軟體兄弟提高矽晶圓應力消除製程之 ... 最常用的退火方式是12 吋矽晶圓半導體CVD 製程設備及BST 介電薄膜成長 ...

#69. PVD / CVD薄膜沈積(Thin Film Deposition)www.tool-tool.com

單晶薄膜的沈積在積體電路製程中特別重要，稱為是『磊晶』 (epitaxy)。相較於晶圓基板，磊晶成長的半導體薄膜的優點主要有：可以在沈積過程中直接摻雜 ...

#70. SOD SOG :: 經理人PLUS

經理人PLUS，USG Semiconductor,USG oxide,金屬層間介電質層,usg半導體全名,ILD IMD,hdp cvd原理,半導體金屬化製程,階梯覆蓋率定義.

#71. 半導體四大製程順序 - Formared

前段製程，會在矽晶圓上做出電阻、電容、二極體、電晶體等元件，以及將這些元件 ... 確認至少四種化學氣相沉積(cvd) 的應用• 描述cvd 製程順序• 列舉兩種沉積區並描述 ...

#72. Ic 製程

IC 製程Read More » 除去封裝，IC的主要原料是半導體，業界主流使用的半導體原料是 ... 不同的積體電路也可能有不同的順序，一般而言積體電路的封裝與測試步驟如下：.

#73. wcvd 製程 - Greenfrs

模擬PECVD及WCVD製程環境，以驗證自製Heater溫度的穩定性。 ... 描述CVD 製程順序• 列舉兩種沉積區並描述它們和溫度之間的關係• 列舉兩種介電質薄膜• ...

#74. 半導體製程技術

摻雜( Doping )–離子植入( Ion Implantation ) cvd製程發生在大氣壓力常 ... 積體電路也可能有不同的順序，一般而言積體電路的封裝與測試步驟如下：.

#75. 半導體四大製程ptt - Paxhg

WAFER四大製程(應該是五製程) 黃光區(Photo) 蝕刻區(Etch) 薄膜區(Thinfin) 擴散 ... 薄膜所以就先解釋薄膜薄膜分CVD、PVD、CMP CVD:化學氣相沉積PVD:物理氣相沉積CMP.

#76. 半導體薄膜製程半導體的微影和薄膜製程 - IJQQ

Ans:半導體的微影製程的目的在將元件設計圖樣轉移至晶片上，其做法即應用光 ... PDF 檔案• 描述CVD 製程順序• 列舉兩種沉積區並描述它們和溫度之間的 ...

#77. 半導體製程順序ptt在PTT/mobile01評價與討論 - 速食

在半導體製程順序ptt這個產品中，有超過5篇Ptt貼文，作者ankala也提到韓面板雙雄成功開發55吋AMOLED面板據南韓電子新聞報導，三星行動顯示(Samsung Mobile ...

#78. 化學氣相沉積(cvd) 化學氣相沉積

CVD /ALD前驅物CVD : Chemical Vapor Deposition（化學氣相沉積材料） ... 原子層沉積(ALD) 的工作方式是依照自訂的順序導入反應氣體，雖品質較高，負責將外部的反應 ...

#79. Chemical Vapor Deposition (CVD)化學氣相沉積 - YouTube

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#80. 製程工程師新手資訊，讓你成為懂製程

而各家製程工程師就必須依照此順序將機台的生產參數調到最好，使每個半成品能加工成符合規定(參數)的成品。 它必須要與EE確認機台或機構(Chamber)是否正常 ...

#81. 微製程概論(IC 及TFT/LCD) - 遠東科技大學

➢ 化學氣相沈積原理: 所謂化學氣相沈積(chemical vapor deposition, CVD)是指利. 用熱能、電漿放電或紫外光 ...

#82. 半導體製程設備 - 第 471 頁 - Google 圖書結果

依照進氣-隔絕一壓縮排氣的順序動作。路兹泵的結構如圖 11.23 所示。 ... 它的缺點是二轉子之間隙容易被卡死,尤其不宜用於沉 CVD 等製程因為 CVD 會產生固體粒子。

#83. 深次微米矽製程技術 - 第 264 頁 - Google 圖書結果

6.7.4 乾式填洞法銅的乾式填洞法( dry fill )分別利用了 CVD 和 PVD 各別的優點, ... CVD 銅提供極佳的側壁和底部覆蓋率。 ... 乾式法沉積銅的順序為: 0 0 > 0 1.

#84. 半導體元件物理與製程─理論與實務 - 第 218 頁 - Google 圖書結果

(2)採用正光阻製程,若要製作一凸起之 I 字型光阻圖案,請繪出所設計光罩圖型 ... PVD)與化學氣相沉積(chemical vapor deposition; CVD)均是在半導體製程中常用於薄膜 ...

#85. 半導體四大製程順序

前段製程，會在矽晶圓上做出電阻、電容、二極體、電晶體等元件，以及將這些 ... 確認至少四種化學氣相沉積(cvd) 的應用• 描述cvd 製程順序• 列舉兩種 ...

#86. 半導體製程技術

... 缺陷晶圓產品的解說cvd製程發生在大氣壓力常壓下apcvd 製程用在沉積二氧化矽和氮化矽apcvd臭氧—四乙氧基矽烷(o3-teos)的氧化物製程被廣泛的使用在 ...

#87. 半導體製程(二) | 晶圓加工| 蔥寶說說讓台積電叱吒風雲的功夫

下面舉例幾個常用的製程。 熱氧化法. ​. ​把晶圓放入烤爐，並通入氧氣，晶圓表面就會形成二氧化矽膜。這是晶圓加工的起手式。 化學氣相沉積法(CVD).

#88. 半導體製程順序ptt - energyhunter.net Search

職務名稱: RD CVD Process engineer 工作地點: 竹科職務說明: 1. CVD module development for ... 不知道CVD是什麼的話，隨便一本半導體製程的基本教.

#89. 半導體製程順序 - Philwoods

所稱半導體後段製程（Back-end processes）的IC 封裝（Packaging）、測試（Testing ）、包裝（Assembly ），以及週邊的導線架製造（Lead-frame manufacture）、連接器 ...