MRAM為非揮發性記憶體,讀寫以自旋電子進行操作,具有耗電較少、零待機耗能、非揮發、高耐用性和高密度等優點,從第一代Toggle MRAM、第二代STT-MRAM到第三代SOT-MRAM,各自面臨缺點或瓶頸。
(摳編)
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工研院發布新世代MRAM/FRAM技術
推動新興記憶體發展
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本週椽經閣續談SOT MRAM的原理與發展近況─由DIGITIMES顧問林育中詳介SOT MRAM的特性與挑戰。
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