作者tony6401 (慢哥)
看板Grad-ProbAsk
標題[理工] [電子] BJT的輸入阻抗
時間Tue Aug 30 18:18:44 2011
三
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R1
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|------npn 跨接ro
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| |--------Ri
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| R2
三 |
三
請問各位如上面簡圖Ri不是直接米勒拆ro在與re並聯嗎
劉明章沒推直接說背起來給的答案是 (R1+ro)/1+gmro || r拍
有高手可以麻煩推個詳細過程嗎 感謝!!!
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◆ From: 114.27.100.105
推 mp8113f: [(R1+ro)/1+μ]//rπ//R2吧 還是這只是單純往上看 ? 08/30 19:33
→ mp8113f:MOS也有一樣的公式 你可以先自己推推看MOS的 再來看bjt 08/30 19:38
→ tony6401:單純往上看!! 08/30 19:38
→ mp8113f:他算是一種等效的證明方法 把rπ拆出來 變成MOS去證 08/30 19:39
→ tony6401:是故意把算是整理成μ算式才需多做苦工嗎?? 08/30 19:42
→ tony6401:直接米勒拆ro再並不就好了= =? 08/30 19:43
→ mp8113f:這題要怎麼拆米樂 增益k值是多少 三處不是都接地嗎0.0 08/30 19:43
→ tony6401:把R2換成vi...拍謝 08/30 19:45
→ mp8113f:你們老師有沒有說 找Rin時 不能用米樂拆橋的方式找 08/30 19:47
→ mp8113f:不對 我講錯了 QQ" sorry 08/30 19:49
→ mp8113f:那是找Ro時 如果說用米樂拆橋做這題 答案一樣嗎 08/30 19:50
→ tony6401:不會吧...他Rin有跨接的幾乎都米勒,是Ro才不能米勒吧0.0 08/30 19:50
→ mp8113f:我沒想過這問題 08/30 19:50
→ PuNkChild:應該是Ro不能找吧，找Ro要關電源會影響米勒拆橋 08/30 19:51
→ tony6401:XD 沒關西~我用米勒拆出來是(R1+ro)/1-gmR1 ||re 08/30 19:51
→ tony6401:所以我在想應該是要弄出μ形式才故意做苦工的 08/30 19:52
推 mp8113f:XD這種找法我還真沒想過..感覺上是可行的 08/30 19:55
→ mp8113f:米樂的k值 另外一端v值多少 ? 08/30 19:56
→ tony6401:vo/vi=M=-(-gm+1/ro)(ro||R1) M應該就是你的K值吧?? 08/30 19:58
→ mp8113f:應該是 所以 -(-gm+1/ro)(ro||R1)*vi=vo ?..怎麼推的 08/30 20:00
→ tony6401:他給的公式,不然就假設vo再節點電壓算vi/vo也是可以 08/30 20:05
→ tony6401:上面打錯是vo/vi 08/30 20:06
→ mp8113f:老師給的公式嗎= =' 他還真愛節點電壓 .... 08/30 20:06
→ sneak: 老師給的公式嗎= =' https://daxiv.com 09/11 14:30
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bjt ro公式 在 [閒聊] DC的電子學入門- 1 基本元件- 看板Electronics 的推薦與評價
電子電路中的基本元件及其對應常用公式
I. 被動元件
比如電容、電感、電阻
Zc = 1/jwC
Zl = jwL
Zr = R
II. 主動元件
主要提三個
1. diode
Id ~ Is*exp(Vd/Vt)
Vt = kT/e = 1.38e-23*300/1.6e-19 = 25.875mV
典型上會用25mV或是26mV
Is通常是10fA(1e-14 A)
計算Rd則
Rd = 1/(dId/dVd) = Vt/Id
典型值大約是4-5 ohm
2. BJT
IC = betta*IB
IB => 看成diode IB = Is*exp(VBE/Vt)
Is = qDn/W (Smith中典型值也是用10fA)
IE = IC+IB
在Smith中因為通常IB只會有10uA =>VBE = Vt*9*ln(10) = 540mV
(Smith中的典型值選用600mV,對照的IB = 97uA =>Ic = 9.7mA)
rpi = vbe/ib = 1/(dIB/dVBE) = Vt/IB, Smith 典型值大約25mV/10uA = 2.5k
re = vbe/ie = rpi/(1+betta), Smith 典型值大約25
gm = ic/vbe = betta*IB/Vt = IC/Vt, Smith典型值大約1mA/25mV = 40mA/V
ro = vce/ic => Early Effect, ro = Va/Ic
3. MOS
ID = (1/2)*(k')*(W/L)*(VGS -VTH)^2*(1+Vds/Va) [saturation region]
ID = (k')(W/L)*[(VGS-VTH)*VDS - 0.5*VDS^2] [triode region]
gm = id/vgs = (k')*(W/L)*(VGS-VTH) = 2ID/Vov = sqrt[2(k')(W/L)ID]
ro = vds/id = Va/ID
當VDS ~ 0 的時候
rds = vds/id = 1/gds, gds = (k')*(W/L)*(VGS -VTH) [跟sat. gm的公式一樣XD]
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會趁有空的時間把我過去念書、以及家教學生實際遇到的概念
還有板上常有的問題統整寫上來
未來涵蓋的範圍還會包括基本的數位電路,ADC, DSM, PLL (loop filter, oscillator)
但是不知道有沒有完成的一天Orz
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◆ From: 114.36.60.52
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