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breakdown voltage定義 在 Re: [問題] 二極體的drift current Is - 看板Electronics - 批踢踢 ... 的推薦與評價
※ 引述《ian60702 (pacific hero)》之銘言：
: 請問為什麼drift current Is 會跟位能障礙Vo無關呢?
: 空乏區內的電場越大(就是加了逆向偏壓的時候)Is應該也會越大吧?
: 為什麼逆向偏壓時Is仍維持常數呢?
: 而位能障礙和空乏區內的電場應該也有關係吧!?
: 請問我的觀念哪裡錯了= =...
: 煩請高手指正.....
Is在實際情況下，不會維持常數，當逆向偏壓增加到崩潰電壓(breakdown Voltage)
電流就會陡降，這點可以參考一下電流-電壓曲線(I-V curve)。
不過，考慮理想化的情況，外加反向電壓，由於空乏區內沒有電流產生；
所有的電流來自中性區。n型中性區域沒有電場，因此
通過P-N二極體元件的總電流為常數，且為：
J= Jp(xn) +Jn (-xp )= Js[e^(qV / kT) -1]
Js定義為(q*Dp*Pno)/Lp + (q*Dn*Npo)/Ln
其中Js 是飽和電流密度（saturation current density）。
此式為理想二極體方程式（ideal diode equation）
(註：你說的Is其實就是Js，只差於乘於一個單位面積)
從公式上,Js跟Vo是沒有相關。
公式推導的部份請參考半導體元件，P-N juntion部份。)
這裡頭會有更詳細的說明。
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在臺灣，何謂R&D工程師?
1.Reverse and Decap :IC反相工程，去膠，打開封裝，拍照，複製電路佈局。
2.Resign and Die :沒死的就操到辭職，沒辭職的就操到死。
3.Rework and Debug :計畫永遠跟不上變化，變化永遠跟不上老闆的一句話!
4.Relax and Delay :太過於輕鬆(Relax)，那麼就會Random Death (隨時陣亡)
但是外派到大陸的臺彎郎，晚上是R (鴨)陪客戶，白天是D (豬)任人宰割!
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◆ From: 203.66.222.12
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