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power dissipation定義 在 Re: [問題] 關於MOSFET - 看板Electronics - 批踢踢實業坊 的推薦與評價
※ 引述《sillyquans (Jim77639)》之銘言：
: 標題: Re: [問題] 關於MOSFET
: 時間: Tue Oct 20 17:01:22 2020
: 抱歉，我不太會用縮圖
: 1. 24V -> 695R -> VDS -> 500R
: 電路圖 =>
: Rds為5.01歐姆，溫升計算為0.8度C
: -----------------------------------------
: 2. 24V -> VDS -> 500R
: 電路圖 =>
: Rds為700歐姆，溫升計算為116度C
: -----------------------------------------
: 這兩者差異只差在有沒有接上695R
: 如果沒有串聯695R，會使VDS電壓變大，近而Ploss變大、元件變燙
這兩者主要的差別是你把power loss丟給MOS transistor還是電阻而已
如果你接了695R，那變燙的就是那個695R
你的功率損失並沒有改變，因為你PIN跟POUT都一模一樣
串那個電阻只是不想要MOS變燙而已
: 我使用Nexperia NX7002AK，規格書明確表示在Vgs在5V下，Rds(on)基本3.7R、最大5.2R
: 理論推理可得到Vgs為2V情況下，Rds(on)會大於3.7R
: 由例1模擬計算得到5R > 3.7R (合理)
: 但例2模擬計算卻得到700R >>>>>> 3.7R (實質不合理)
Rds(on)的定義是給定特定Vgs的狀況下，在Vds很小的時候，Vds/Ids的值
MOS操作在triode region
當Vds很大的時候，MOS操作在saturation region
你測得的值就不會是Rds(on)
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