【投資高雄正是時候:韓國瑜下台後投資案大爆發】
近期,因習慣性造假面臨關台危機的中天,正不斷製造「#韓國瑜被罷免後高雄人後悔了」的假新聞。
但這樣的假新聞,也無法抹滅一個事實:韓國瑜的施政一塌糊塗,其中經濟政策更全盤失敗。將這樣的草包趕下台,無疑是高雄人的正確選擇!
#陳其邁上任後廠商高雄投資加速
在陳其邁上任後,核准、宣布或擴大投資高雄科技公司,就有台灣默克、穎崴、穩懋、長華、緯創以及華新科等。其中穎崴投資32.5億、長華30億、華新科72億、穩懋更是2年來高雄最大的投資額,高達850億。至於預計2021年開始配地的橋頭,則有智崴集團、華宏新技、長行生技、日月光、國巨、太普高、鑫科、鑫科材料等業者已簽署投資意向書,園區蓋好不愁沒有廠商。
如果你有印象,應該記得,韓國瑜的任內,完全沒有這樣的光景。光是穩懋一案,已經就超過韓國瑜吹噓過所有要進駐高雄廠商投資額的總額還有剩。
圖中,我們列出這幾年來高雄超過百億的重大投資案,許多在2018年前就已經談妥。在韓國瑜任內,其實也有日月光的大型投資,當時是以「某不具名封測大廠」出現在2019年6月的媒體報導中。為什麼韓國瑜絲毫不提此案,沒有收割為政績強力放送呢? 原因很有趣,該廠其實是參與「#歡迎台商回台方案」,由經濟部宣布投資計畫,而韓陣營選總統時完全否認有「台商回台」這件事,因此根本不敢拿來當政績。
於是乎,在韓國瑜大吹特吹的愛情產業鍊、愛情摩天輪、F1、賽馬場,一堆沒聽過外國廠商要來高雄投資全部落空之際。日月光K13廠還真的在2020年8月,陳其邁當選後兩天動工,對比韓國瑜的各種泡沫產業,還真的諷刺至極。
其實,高雄之所以出現大好投資光景,並非陳其邁多厲害,而是全球局勢劇烈變化下的契機。從2019年至2020年9月,在經濟部提出的「台商回台2.0」 、「根留台灣企業」與「中小企業」3大投資方案中,共有78家廠商投資高雄,預計投資金額已逾1千8百億元,其中又以半導體產業、電子零組件等高科技製造業占比最高。
#中美貿易戰與資訊戰改變世界格局
我們就以投資850億的穩懋來看,穩懋是世界最大的「三五族半導體」代工廠之一,不同於矽晶圓,砷化鎵等三五族半導體具有高效能、使用頻率範圍大,以及耐高溫、抗輻射等特性,廣泛應用於手機通訊元件,例如接受訊號的PA(功率放大器)晶片。然而,其製程較為困難,生產廠商相對較少。
穩懋擴廠的原因,其實就來來自5G需求。5G手機上的PA元件可達4G手機兩倍,基地台亦是另一項需求,使得PA晶片在進入5G時代後用量倍增,然而,世界上主要的PA元件的廠商都是Fabless公司,都需要代工廠生產。
因中國的代工廠製程較為落後,因而中國手機業者依賴對外採購,上半年,由於美國制裁加速美中脫鉤,中國業者轉向台廠下單,使得穩懋等台廠賺了一波。但在美國近一步收緊華為禁令下,任何使用到美國技術的台廠,也不得輸出中國,那麼台廠怎麼辦呢?
還好,美國決心封殺華為並籌組美日韓歐5G聯盟,加快訂定自己的技術標準,因而華為失去的世界市場,可能就被蘋果、三星等品牌吃下,只要台廠技術繼續領先,這些手機廠仍然要搶台廠產能,失去華為的影響並不大。這也是美中脫鉤下可能形成的「一大(美)一小(中)兩極世界」格局,也是穩懋維持樂觀,繼續在台灣擴廠的理由。
#韓國瑜的政策逆風所幸很快逆轉
中美脫鉤,美日等國撤出中國,供應鏈重組,這是2018年現端倪,19年就已經明顯的格局。然而,當時韓國瑜的經濟政策卻是:「經濟靠中國」、「南南合作(和中國南部掛鉤)」、「92共識」,並以這樣的方向來競選總統,這樣一陣大逆風,也讓高雄差一點跌入深淵。
所幸,韓導的總統夢很快破碎,雖然在他治理下,高雄經濟變成六都最爛,唯一負成長。但還好經濟部主導的台商回台計畫仍然進行,2019年台灣因投資明顯增加經濟成長率躍上「台韓新港」所謂四小龍第一,2020年更因武漢肺炎與供應鏈重組拉開差距。韓陣營由於無法認定政策失敗,一來在新園區開發與協助投資上動作蹣跚,二來就算面臨被罷免,也不敢宣傳台商回台「政績」,顯得格外尷尬。
而在韓國瑜被罷免,陳其邁透過補選上台後,高雄的經濟政策完全對接中央,不但挖來經濟局技術處處長羅達生擔任副市長,由他主導「橋頭科學園區專案推動小組」加速建廠進度,經發局更參考經濟部的「投資台灣事務所」模式,打造「投資高雄事務所」,為重大投資案設立專案經理,「針對每一個投資案,一案一案地追」。與其說是經發局主導,更像是和經濟部模式無縫接軌,讓大型招商可以在地方中央合力下加速。
#高附加價值產業投資逐漸增加
雖然很多鄉民可能會說沒有台積電免談,然而,在人才等要素居於後進的高雄,在錯過了台灣的資通產業轉型浪潮後,招商已有一代人的時間居於弱勢。高雄雖有電子產業鏈,但許多廠商產品附加價值較低、研發能力不足或不在高雄,也使得高雄在地薪資水準相較較低,這是年輕人一直的痛。
上市櫃公司的薪資支出已經相對透明,根據公開資訊觀測站,就能看到該公司過去薪資。我們以較能反應一般薪資水準的中位數來看,晶圓廠穩懋、華邦電,當然不如台積電,但也已較製程技術相對低的被動元件、軟板等電子零組件廠高,這樣的廠商進駐高雄,所能給予的薪資是高於大部分在地廠商的。
而以和「護國台積電」相關的產業鍊來說,高雄有許多化工廠生產半導體產業鍊之原料,日資在其中佔有相當比例。讓化學產業高值化,減少低產值高污染的產品,增加研發比重,就是需鼓勵的方向。同理亦發生在金屬產業衍生出的軍事、航太、海洋、醫材產業上。
當大方向正確,市府應著重的,更是積極與中央合作擴大高等教育與研發機構之支出和僱用人數,讓高雄產業能有「自我更新」能力,而非淪為生產終端。罷免韓國瑜後,高雄正往正確的方向走,從來沒有後悔,只有能走多遠多快的問題!
「共集極放大器特性」的推薦目錄:
- 關於共集極放大器特性 在 高雄好過日 Facebook 的最讚貼文
- 關於共集極放大器特性 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 的精選貼文
- 關於共集極放大器特性 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 的精選貼文
- 關於共集極放大器特性 在 高中電子學_電晶體放大電路_單元4 共集極放大電路 ... - YouTube 的評價
- 關於共集極放大器特性 在 共集極放大電路實驗2022-在Mobile01/PTT/Yahoo上的房地產 ... 的評價
- 關於共集極放大器特性 在 共集極放大電路實驗2022-在Mobile01/PTT/Yahoo上的房地產 ... 的評價
共集極放大器特性 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 的精選貼文
#電源設計 #高壓隔離型閘極驅動器
【整合「米勒箝位」,驅動 IGBT 更安全有效】
絕緣柵雙極電晶體 (IGBT) 在切換開關時,常遭遇「米勒效應」(miller effect) ——反相放大電路,輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由於放大器的放大作用,其等效到輸入端的電容值會擴大 1+K倍 (K 值為該級放大電路電壓的放大倍數);造成電容與輸入電阻產生低通濾波效應,使高頻訊號衰減。所幸,內建「米勒箝位」(Miller clamp) 的閘極驅動器 (Gate Driver),可解決此問題並提供電路保護。
整合米勒箝位,一來可將電路閘極電荷接地,抑制閘極電壓上升、避免故障;二來當閘極電壓低於臨界值,會穩健關斷 IGBT 單軌電源,以帶有或不帶有米勒箝位的單極性/雙極性副電源工作。此外,集成去飽和檢測電路,可提供高壓短路 IGBT 工作保護,包括降噪特性;如需提高抗噪水準,內部消隱開關也支援增加外部電流源。此類「晶片級變壓器」還提供晶片高壓域與低壓域之間的控制資訊隔離通訊,晶片狀態可從專用輸出回讀;一旦器件副電源發生故障,可重設器件。
「共模暫態抗擾度」(CMTI)、傳播延遲及傳播延遲偏差,是另外三項重點指標。CMTI 對於氮化鎵 (GaN) 和碳化矽 (SiC) 等新型開關技術尤其重要;該數值越高越好,代表輸入與輸出的訊號沒有失真。低傳播延遲和低傳播延遲偏差,可讓設計人員盡可能減少高壓側和低壓側開關之間的「死區」(dead-band,又稱無感應區或靜滯帶),改善馬達控制驅動、太陽能逆變器和 DC-DC 電源的效率和性能。
演示視頻:
《ADI----ADuM4135高壓隔離型閘極驅動器》
http://www.compotechasia.com/a/CTOV/2016/0414/31667.html
#亞德諾ADI #ADuM4135 #iCoupler
[本文將於發佈次日下午轉載至 LinkedIn、Twitter 和 Google+ 公司官方專頁,歡迎關注]:
https://www.linkedin.com/company/compotechasia
https://twitter.com/lookCOMPOTECH
https://goo.gl/YU0rHY
共集極放大器特性 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 的精選貼文
#高功率電源設計 #電源管理 #氮化鎵GaN
【不可不知的材料界新星:氮化鎵】
「氮化鎵」(GaN) 可望逐漸成為「高功率模組」的首選;未來更將擴及低電壓應用,如:高端音訊放大器、無人機、電動車、照明、運算、太陽能板、汽車影像技術,以及任何能接上插座的電器裝置。GaN 是一種由「鎵」和「氮」兩種元素合成的超高速半導體材料,近年來成為學術界和產業界共同關注和著力研發的熱點,矽基 GaN 功率器件更被視作聖杯。與傳統矽元件相較,GaN 在物理特性上具有明顯優勢:
1. 轉換效率高:GaN 的禁帶寬度是矽的 3 倍、臨界擊穿電場是矽 10 倍,意謂在同樣額定電壓下,GaN 的導通電阻約比矽元件低 1,000 倍,大幅降低開關的導通損耗、使功率密度倍增;
2. 工作頻率高:GaN 的電子渡越時間比矽低 10倍,電子速度比在矽中高兩倍以上、反向恢復時間基本可以忽略,因此 GaN 開關功率器件的工作頻率是矽的 20 倍以上!大幅減少電路中電容、電感等儲能元件的體積、模組尺寸可縮小 50%,連帶減少設備體積和原材料消耗,而開關頻率高可減少開關損耗,進一步降低總功耗;
3. 耐受溫度高:GaN 的禁帶寬度高達 3.4eV,本徵電子濃度極低,電子很難被激發,理論上 GaN 可耐受 800℃ 以上的高溫。
為降低 GaN 元件成本,業界設法從製程尋求變通:透過外延技術在更大尺寸的矽基取得 GaN 外延片。如此便可使用成熟的矽製程和設備大量生產,再將矽基 GaN 與光電元件、數控電路整合,集成直接面向終端應用的功能性模組。GaN-on-Si 晶圓仍有三大技術瓶頸待克服:一是失配問題,矽基與 GaN 之間存在晶格常數、熱膨脹係數和晶體結構不匹配;二是極性迥異,由於矽原子間形成的是「純共價鍵」,屬非極性半導體,而 GaN 原子間卻是極性鍵、屬極性半導體;三是矽基上的矽原子擴散,會降低外延層的晶體品質。
或許能以「增壓引擎」來比喻 GaN,只要搭配適合的驅動程式、封裝與其他元件,確實能提升伺服器和資料中心的系統效能;且可避免電子裝置或設備「散熱不佳」,拖累系統運作。當連網已成為日常生活的一部分,人們對高耗電的數位裝置,以及電力和發電廠的依賴也隨之激增;藉由 GaN 改善電路效率,既環保又節能。此外,小自手機,大至高端工業機具和伺服器,各種系統的電路皆需切換數百萬計的小型開關;每一次動作,都會產生熱能、減損供電效率。GaN 可減少生熱,讓開發者能在更小的電路板空間、納入更多的開關設計。
延伸閱讀:
《TI:製程、封裝相助集成,氮化鎵伺機而起》
http://compotechasia.com/a/____/2016/0706/32426.html
(點擊內文標題即可閱讀全文)
#德州儀器TI #http://compotechasia.com/microsite/view.php?aid=32761
[本文將於發佈次日下午轉載至 LinkedIn、Twitter 和 Google+ 公司官方專頁,歡迎關注]:
https://www.linkedin.com/company/compotechasia
https://twitter.com/lookCOMPOTECH
https://goo.gl/YU0rHY
共集極放大器特性 在 共集極放大電路實驗2022-在Mobile01/PTT/Yahoo上的房地產 ... 的推薦與評價
電晶體共射極放大電路實驗(Common Emitter Amplifier). 一、實驗目的. 瞭解電晶體之基本特性,以及利用參數等效模型,進行電晶體共射極組態之直流及 ... ... <看更多>
共集極放大器特性 在 共集極放大電路實驗2022-在Mobile01/PTT/Yahoo上的房地產 ... 的推薦與評價
電晶體共射極放大電路實驗(Common Emitter Amplifier). 一、實驗目的. 瞭解電晶體之基本特性,以及利用參數等效模型,進行電晶體共射極組態之直流及 ... ... <看更多>
共集極放大器特性 在 高中電子學_電晶體放大電路_單元4 共集極放大電路 ... - YouTube 的推薦與評價
高中電子學_電晶體 放大 電路_單元4 共集極放大 電路Part A 共集極放大 電路交流分析_陳以熙 . DeltaMOOCx . DeltaMOOCx. 76.6K subscribers. Subscribe. ... <看更多>