靶材廠光洋科布局半導體前段製程報捷，3 奈米製程靶材第四季將送樣給客戶驗證，新產能最快年底前小量生產，後續將階梯式開出，另外，根據陸媒報導，光洋科也首度打入台積電南京廠供應鏈，供應生產製程靶材。
半導體 前段製程 在 Anue鉅亨網財經新聞 Facebook 的最讚貼文
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半導體 前段製程 在 經濟部工業局 Facebook 的最讚貼文
🇹🇼🇯🇵連結台日智慧製造，串聯全球高階供應鏈！
#2021第五屆臺日智慧製造論壇 #半導體
💻今日論壇共有 60 多位台日業者線上參與，聚焦討論 #半導體智慧製造應用、#全球供應鏈重組商機合作 等議題，並以專題演講及座談的方式，相互分享半導體智慧製造技術發展趨勢及現況。
另外也促成🇹🇼台灣傑群國際與🇯🇵日本長尾製作所簽署合作備忘錄，未來將合作協同開發，導入符合半導體設備規範生產流程，深化智慧製造能力，以切入半導體前段製程設備國際大廠供應鏈。
👨💼經濟部常務次長林全能致詞時表示，
受COVID-19疫情影響，世界將出現嶄新面貌，全球企業必須建構更有韌性的供應鏈加以因應；
日本半導體產業政策正傾向於向國外代工廠招手，並鼓勵國外企業和日本企業聯手半導體研發與製造，也是為了因應不斷擴大的自動駕駛、以及智能工廠 AI晶片需求，為朝向5G時代邁進，致力 研發新一代半導體製造技術；
藉此論壇正可深化臺日交流，以我國智慧機械整體解決方案與日本半導體設備及材料商合作，推動我國設備商通過日本國際級高階客戶端認證及供應鏈合作，切入全球高階市場，形成策略夥伴，以共同搶占全球供應鏈的核心地位。
📰經濟部工業局新聞稿：https://www.moeaidb.gov.tw/external/ctlr?PRO=news.rwdNewsView&id=36682
#智慧機械推動辦公室
#台灣電子設備協會
#台北市日本工商會
#攝陽企業 #TEL東京威力科創 #NTTDATA
#均豪精密 #台達電 #印能科技
半導體 前段製程 在 我是產業隊長 張捷 Facebook 的最佳貼文
這個趨勢跟我們夏季班第3堂課提到的股票有關係，
大家知道是什麼嗎？？
#車輛電動化趨勢 MCU、CIS需求上升
車用半導體擴張的推動力，來自於自動駕駛、輔助駕駛系統等汽車控制相關需求，例如微控制器（MCU），也就是目前車用晶片缺貨之中的大宗，還有感測用的雷達與CMOS影像感測器（CIS）等外 就來自於環保車輛與節能減碳的趨勢，也就是功率半導體領域。
在微控器方面，Semiconductor Portal報導，市占率最高的是日廠瑞薩電子（Renesas），先進的微控制器良率控制可將瑕疵品壓低到0.1 ppm以下，也就是1,000萬分之1以下。瑞薩已量產搭載28奈米製程Flash Memory的微控制器，在車輛的電控系統（ECU）幾乎都搭載微控制器，而且傾向於加強安全性的效能冗餘，使微控制器的需求將進一步提高。
而10年來年複合成長率（CAGR）達16%的CIS市場，雖然在2020年受疫情衝擊，據IC Insights統計成長率僅3%，不過預估2021年，將成長19%，達228億美元，未來5年年複合成長率約12%，到2025年達336億美元。若以數量計算，2020年67億件的CIS，將以14.9%的年複合成長率，到2025年可年產135億件。
雖然CIS的主要需求，仍來自於5G普及帶動的手機銷售，手機鏡頭CIS的年複合成長率6.3%，2025年可達157億美元市場規模，但以成長速度來說，車用CIS成長最快。IC Insights估計，未來5年車用CIS的年複合成長率可達33.8%，到2025年可達到51億美元。
其他應用領域，如醫療與科學系統、安防監控、機器人與物聯網等工業用途，雖然2025年預估的市場都比手機用與車用CIS來得小，但成長速度都高於手機用CIS。
在車用CIS相關的市場，富士奇美拉總研（Fuji Chimera Research Institute）的報告預估，先進駕駛輔助系統（ADAS）與自動駕駛所需的車用攝影模組，由於環繞影像系統（Surround View）普及，使觀測攝影機（View camera）被採用的數量增加。
此外，在日本、歐洲、美國都開始強制採用自動緊急剎車系統（Autonomous Emergency Braking），也讓車前攝影機使用量上升。
2021年後疫情時代車市慢慢恢復，上述兩種車用攝影機的需求也會明顯攀高。預估到到2026年，車用攝影機模組的市場規模，將達到9,930億日圓（約合91億美元），與2019年相比，增加93.8%。
同樣使用攝影機的行車紀錄器，全球需求也在成長，不過各地區對於行車紀錄器對隱私的影響看法不同，部分國家增加速度較慢，但整體來說在安全性的需求下出貨仍會逐步上升，富士奇美拉總研預估，一般車輛使用的行車紀錄器的市場規模，到2026年會達到3,200億日圓（約合29.5億美元），比2019年增加2.2倍。環繞影像系統與行車紀錄器，都會拉高車用CIS的出貨量。
#車用功率半導體廠擴產 #追趕電動化商機
車用半導體之中，另一個項目是功率半導體。功率半導體在車輛與電機設備等都有使用，不過在車輛電動化的趨勢下，車用功率半導體的推升作用更加明顯。
國際半導體產業協會（SEMI）曾在2019年預估，以8吋晶圓估算的半導體產能，會在2022年達到月產650萬片。不過，在純電動車（BEV）與油電混合車（HEV）需求與產能不斷提升，功率半導體可能出現供應不足問題，使相關廠商開始加大投資。
例如英飛凌（Infineon Technologies）目前是最早投資功率半導體12吋晶圓廠的廠商，位於德國東部德累斯頓的第1座工廠已經開始量產，目前第2座12吋晶圓功率半導體廠，則在奧地利南部Villach興建中，預計將量產功率MOSFET與IGBT。車用零組件一級供應廠電裝（Denso）則是英飛凌的出資者之一，以穩定功率半導體供應來源。
電裝在車用半導體的投資布局，也包括針對瑞薩電子，逐步提高持股比例，到2020年底為止，占瑞薩股份8.84為第2大股東。電裝也與功率半導體新創Flosfia建立資本合作關係，在氧化鎵（GaO）功率半導體的車用領域進行研發合作。而占有電裝股份20%以上的豐田汽車（Toyota），也正在把車用半導體、電子零組件等硬體的研製，轉移到電裝。
安森美（ON Semi）則是以收購方式取得GlobalFoundries的美國紐約州Fishkill的12吋晶圓廠（fab 10），總價4億3,000萬美元，2019年已先付1億美元，到2022年底前會支付剩下的部分3億3,000萬美元。這座12吋晶圓廠雖然還沒有完全讓渡，但依據協議已開始為安森美生產半導體。
目前看來，歐美的功率半導體場對於12吋晶圓廠較為積極。而在日廠方面，三菱電機（Mitsubishi Electric）預定會在日本熊本縣工廠引進12吋晶圓的量產產線。三菱電機在廣島縣福山工廠目前只有後段製程，不過熊本工廠將來如果產能已滿，福山工廠設置12吋晶圓產線也將成為選項。
富士電機（Fuji Electric）在2021年度（2021.04～2022.03）的半導體設備投資額會拉高到410億日圓（約合3億8,000萬美元），年增1倍以上，以因應電動化車輛對於功率半導體的旺盛需求。而原本預計在2024年3月前的5年間，要完成的半導體設備投資1,200億日圓（約合11億美元），會在2023年3月前完成。
雖然這些投資主要集中在8吋晶圓的前段製程，不過，富士電機也正在研發12吋晶圓製程。至於何時設置12吋晶圓量產產線，由於12吋產線所需投資額是8吋產線的2倍～3倍，因此要依據市況再來評估。但比起12吋矽晶圓產線，富士電機可能對新建碳化矽（SiC）產線更感興趣。富士電機的2021年度半導體研發費，將年增6%，至130億日圓（約合1億2,000萬美元），研發車用IGBT、SiC功率模組，以及工業用第8代IGBT技術。
2021年第1季，富士電機的電動化車輛（BEV、HEV等）功率半導體訂單額，年增51%，金額與2020年第4季大致相同。預計到2021年第2季，也會維持第1季的同等級訂單額，此後則開始逐季成長。
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一般封裝製程工作環境來說，封裝前段廠(Bumping/Wafer Dicing, grinding， Die attach, Wire bond, ... 科男生活大小事EP21-談工作發展性，談半導體產業你所要的發展性. ... <看更多>
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蝕刻製程：使用光阻劑進行膜加工4. 擴散製程：使矽晶圓板上形成導電層(*已更正) 5. CMP製程(化學機械研磨)：使不光滑薄膜表面平坦後段製程目的：將前段完成的矽晶圓板 ... ... <看更多>
半導體 前段製程 在 半導體前段製程檢測設備技術趨勢- 看板Hightech - 批踢踢實業坊 的推薦與評價
半導體前段製程檢測設備技術趨勢
本文針對半導體前段製程主要設備之技術趨勢分述如下：
1.光罩/疊對檢測
未來半導體產業的製程技術是朝著晶圓尺寸愈大、線寬尺寸愈小，
在微影製程上，雖有E-beam和x-ray微影方面的研究，
可能作為未來黃光微影技術，但光學微影仍是目前半導體製程的主流技術，
而利用光學顯微鏡來檢查光罩和作線寬量測仍是未來的主要量測技術之一。
在進入奈米技術時代的光罩/疊對量測技術發展上，
需要不斷的提高量測解析度，和量測不確定度，
在提高光學顯微鏡的解析度上，
第一可使用更短波長的光源如紫外光(UV)或深紫外光(EUV)，
第二可使用相位移補償技術，第三可使用更大數值孔徑的顯微鏡等。
在線寬量測技術上，可結合光學顯微鏡、原子力顯微鏡、
和掃描電子顯微鏡等相關量測技術。
在奈米等級的疊對量測上，利用傳統的光學顯微鏡及框對框的疊對量測，
已無法滿足需求，其他更先進的量測技術不斷被發展出來，
如KLA-Tencor利用光柵標誌的AIM來量測疊對，期能滿足65 nm的技術需求。
2. Wafer表面檢測
SPM因其掃描機構是用壓電陶瓷致動器，
而壓電陶瓷致動器有遲滯、非線性、老化、熱漂移、
潛變、和耦合誤差等特性。所以有些SPM的製造商，
會在掃描機構上用電容位移計、應變位移計、
光電位移計、或電感線性位移計等位移偵測器來作位移迴授控制。
一般SPM在定性量測是一種很好的量測工具，而受到上述的誤差因素，
在定量量測時有可能造成15%的誤差，如果要用SPM來作定量測，
這些位移感測器必須定期校正以維持其定量量測的準確性，
且必須追溯到國際單位制的"公尺定義"，
SPM在每使用一段時間後，可用一維和二維的線距標準片、
階高標準片等來校正其準確度和線性度，也有些製造廠開發出半導體
晶圓量測用的計量型原子力顯微鏡(Metrology mode)。
3.Wafer外觀檢測
台灣的半導體產業將會逐漸以12吋晶圓為主，
製程主流技術已正式進入線寬100奈米以下，
明年會進入65奈米，
未來幾年會朝著45奈米及25奈米邁進，
量測需求的準確度要求也僅在數個奈米，甚至達1奈米以下。
在奈米技術時代的量測需求，
傳統光學顯微鏡的解析度漸漸無法滿足要求，
短波長如紫外光和深紫外光的照明光源和更新的量測方法逐漸被發展出來，
掃描電子顯微鏡、電子束、x-ray等高解析度的度量方法，
將會成為未來半導體製程中晶圓外觀缺陷檢測的主要量測技術之一。
4.膜厚計
矽半導體工業走向大尺寸晶圓與單一晶圓製程技術的趨勢，
使得改善設備效能並減少使用昂貴監控晶圓的需求逐漸上升。
藉由可於成長過程中即時量測（in-situ）的橢圓偏光儀來做製程控制，
可達到生產線上即時監控與資訊回饋，從而滿足上述的需求。
為了能快速的獲得數據並加以分析，
可於成長過程中即時量測的橢圓偏光量測術一般是使用單波長雷射。
然而，近來在即時（real-time）數據分析與偵測器系統上的快速發展，
使得藉由成長過程中即時量測的方法來獲得光譜分析上的資訊成為可能。
因為目前尚未有一個標準方法來測定薄膜厚度，
因此不同的技術方法所給的膜厚值也不盡相同，
於是對於每一個計量標準實驗室來說，
要降低並處理不同方法間膜厚值的偏差成為一大挑戰。
不過已經有許多人努力於將薄膜厚度的量測過程予以標準化。
例如，英國國家物理實驗室（NPL）
在2002年以循環比對法來研究二氧化矽的厚度，
而此一方法被運用到大多數可能的量測方法，
像是單波長橢圓偏光儀（SWE）、分光式橢圓偏光儀（SE）、
穿透式電子顯微鏡（TEM）、掃瞄式電子顯微鏡（SEM）。
此一循環比對法是設計用來分析不同量測方法的能力，
而使用此一方法可自我測試其量測能力。
5. 粒子計數器
未來粒子計數器將朝向更有效率的整廠監視系統
(Facility Monitoring Systems)發展，
配合軟硬體結合及統計分析工具使用，達更理想化嚴謹管控‧
潔淨室工作環境各項參數。
配合不同新使用需求的新光學感測裝置、光纖耦合及光學腔體發展、
不同雷射光源使用配合特殊製程需求等亦會持續發展。
另外配合不同半導體製程上需求，
包括表面分子污染(Surface Molecular Contaminatioon)
於Wafer製程表面粒子監控、CMP(Chemical Mechanical Planarization)
製程之泥漿(Slurry)粒子監控，現也已有儀器製造廠商發展出成品儀器，
也定將持續發揚光大，以更符合未來需求。
(工研院IEK張振堶)
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