為了滿足MOSFET、IGBT和SiC電晶體的不同輸入範圍,通用可調電壓隔離閘極驅動器(UVIGD)能提供可變電源電壓,從而調整其輸出訊號振幅⋯
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#電源設計 #功率器件 #碳化矽SiC #氮化鎵GaN #馬達 #隔離閘極驅動器
【GaN 驅動馬達,更節能!】
氮化鎵 (GaN) 因節能特性顯著,正迅速席捲功率器件市場,阻斷電壓已上看 650V (儘管匯流排電壓仍以 220V 市電為限)。透過 GaN 系統驅動三相馬達,依舊不能忽略穩定度與共模暫態抗擾度 (CMTI) 問題;帶有健康監控功能的驅動器,可在經過相位引線時即時檢查馬達電流。
演示視頻:
《控制並驅動高密度 SiC/GaN 功率轉換》
http://www.compotechasia.com/a/CTOV/2018/0915/39881.html
#亞德諾ADI #iCoupler #AUuM4121
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新聞搶先報:
ADI用於Microsemi SiC功率模組的高功率和高電壓隔離閘極驅動器板加速產品上市
台北訊 —2018年3月7日 Analog Devices, Inc. (ADI)與Microsemi Corporation近日共同推出首款用於半橋SiC功率模組的高功率評估板,該評估板在200kHz開關頻率時可提供最高1200V電壓及50A電流。隔離板旨在提高設計可靠性,同時減少創建額外原型的需求,為電源轉換和儲能客戶節省時間、降低成本並縮短上市時程。ADI和Microsemi並將於2018年3月4日至8日於美國德州聖安東尼奧舉行的APEC 2018展會上展示該評估板。
• 查看產品頁面、下載資料手冊、訂購評估板請參閱:
http://www.analog.com/EVAL-MICROSEMI-SIC-MODULE
新評估板可用於更複雜拓樸(例如全橋或多位準轉換器)的構建模組,以進行對客戶解決方案的完整工作台調試,其同樣可作為最終評估平台或用於類似轉換器的配置中,以全面測試和評估ADI採用iCoupler®數位隔離技術的ADuM4135隔離閘極驅動器和高功率系統的LT3999 DC-DC驅動器。
該高功率評估板使Microsemi的SiC功率模組可提供諸多優勢,例如:通用測試台,提供更高功率密度以縮減尺寸和成本,透過隔離導電襯底和最小寄生電容達到更高效率、性能和卓越的熱管理。這些特性使該評估板適於諸多應用,包括電動汽車(EV)充電、混合動力汽車(HEV)/EV車載充電、DC-DC轉換器、開關電源、高功率電機控制和航空作動器系統、等離子/半導體製造設備、鐳射和焊接、MRI和X光設備等。
產品特點摘要
• 半橋拓樸
• 1200 V、50 A @ 200 kHz
• >100 kV/µs CMTI
• 1.2 kV電氣隔離
• 獨立的高端和低端PWM輸入(單一控制,70 ns死區用於測試)
• 1 LT3999 + 1 ADuM4135(高端和低端)
• 全面測試的去飽和保護
• 用於V+、V-和AC相位連接的低電感和高電流端子
• 支援標準SP1封裝的Microsemi半橋SiC功率模組,即APTMC120AM20CT1AG和APTMC120AM55CT1AG
價格及供貨
產品 供貨 單價 封裝
EV-MS4135PL1Z-UI
請透過電子郵件諮詢:
RenwBoards@analog.com
495美元 評估板
關於ADI
Analog Devices (NASDAQ: ADI)是全球領先的高性能類比技術公司,致力於解決最艱鉅的工程設計挑戰。我們協助客戶運用無與倫比的技術進行感測、測量、電源、連接和解讀,智慧地搭起現實和數位領域之間的橋樑,從而更瞭解周圍的世界。詳情請瀏覽 www.analog.com
關於Microsemi
Microsemi Corporation為航空航太、防務、通信、資料中心和工業市場領域提供全面的半導體和系統解決方案組合。產品包括高性能和抗輻射的類比混合信號積體電路、FPGA、SoC和ASIC;電源管理產品;計時和同步元件以及精密時間解決方案,以為世界制定時間標準;語音處理元件;RF解決方案;分立元件;企業儲存和通信解決方案、安全技術和可擴展防篡改產品;乙太網路解決方案;乙太網路供電IC和中跨設備;以及客製設計能力和服務。Microsemi總部位於美國加利州亞裡索維耶荷,於全球擁有約4800名員工。欲瞭解更多資訊請參閱:www.microsemi.com。
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