📱貴鬆鬆的i13支援低軌衛星,你有興趣嗎?
📋天風證券知名分析師郭明錤日前發表最新研究報告表示,蘋果看好衛星通訊趨勢已成立特定團隊,研究與開發相關技術與應用有段時間。他預測 iPhone 13 硬體規格可支援低軌衛星通訊,若蘋果開放軟體功能,當 iPhone 13 使用者不在 4G / 5G 涵蓋範圍,也能透過衛星通訊。
先不管i13各方研究機構預料更小的「瀏海」設計、更厚的相機突起物、支援更多5G頻段及新顏色選項..等,這些都是小小改款,這篇報告的讓我很high的是關鍵字:低軌衛星通訊!因為在我們家常常上演這種對話:【喂~有聽到嗎?你不要走來去啦,要在定點啦!哈囉?有聽到嗎】🤦♀️每次想要和老爸老媽來個溫馨通話,常常被4G 5G訊號不好而被攪擾,低軌衛星就是這種通訊死角的解藥啦!🤷
🔴啥咪是低軌衛星LEO?
低軌道衛星的最大特色,就是只需從幾百公里遠高空發射訊號,因發射的頻段位置低、訊號延遲相對小,繞行地球一圈約100分鐘以內,只要數量夠就可提供全球無死角的訊號覆蓋率。
人造衛星依照運行地球軌道的距離,由低到高排序分別為:低軌道衛星(LEOs)、中軌道衛星(MEOs)、同步軌道衛星(GEOs);而最低的低軌道衛星距離地球僅有幾百公里距離。很好理解的是,就因為離地球近所以就不會有delay的問題,簡單講應用在手機通訊上,不管沒有訊號的地方比如海拔2000公尺以上的山區等等,都可以通!
🟠誰投入研發低軌衛星?
這麼有前瞻性的研發,目前全世界投入科技巨擘大概有11家左右,你可能有聽過的就是馬斯克(Elon Musk)的Space X星軌Starlink衛星連網計畫,另外還有亞馬遜的Kuiper、微軟創辦人比爾蓋茲成立Kymeta、以及許多太空衛星新創公司(如Oneweb、Telesat..)。只是目前低軌道衛星研發應用都在進行中,要在商業應用發展還需要在等一下下。那郭明錤分析師報告中說 iPhone 13 硬體規格可支援低軌衛星通訊,真的有機會嗎? 目前他的論述是認為,技術面i13採用支援衛星通訊的客制化高通 X60基帶晶片,所以硬體上是OK的,而要合作的營運商最有可能的是Globalstar。
※補充一下:Globalstar (全球星)是美國一家衛星通訊公司,該公司通過近地軌道衛星星座運營衛星電話和低速數據通訊服務。全球星第二代衛星星座由24顆低地軌道衛星組成。
好,無論i13能否有低軌衛星通訊功能等亮相就知道,看到這裡就略略知道這也是未來的一個龐大商機啊,低軌衛星不只能應用在通訊,未來更加成熟後,就能強化和5G整合,不管是擴增實境(AR)頭戴式裝置、電動車、或其他物聯網產品的使用體驗,全部都可以合縱連橫的應用,無死角的通訊傳輸,好大的本夢餅〈笑〉!
🟡台廠能一起飛上雲霄?
台灣網通廠商很蓬勃發展的呢,從局端到用戶端,相關的上市上櫃廠商超過80家。過去較缺乏的是規格的制定,但是從5G開始,台灣晶片大廠聯發科(2454)已經有與國際大廠高通平起平坐的條件!相關產業供應鏈有什麼:碟型天線、地面接收站、移動式接收器、訊號收發器、印刷電路板、銅箔基板、功率放大器、射頻、Wi-Fi路由器、電源供應器等零組件設備,含括範圍很大。
◎相關概念股請參考圖表:
https://ctee.com.tw/news/stocks/510042.html
☑️題材有了,但是能進入真正的獲利模式了嗎?股價能動嗎?產業新知和消息是非常令人興奮也有遠景,但回到現實面,要大舉應用在商業獲利模式,似乎還需要在磨磨在等等,所以呢,有興趣的投資朋友可以用長線題材來看待唷!不過我個人還是很期待這能解決我們家【喂?有聽到嗎】萬年不敗連續劇的戲碼:〉
▶️延伸閱讀&參考資料:
陳唯泰-跟著我擇機入市
電腦王阿達
數位時代
https://www.bnext.com.tw/article/64775/iphone-13-to-feature-leo-to-make-calls-and-text
https://ctee.com.tw/news/tech/509641.html
https://www.kocpc.com.tw/archives/401193
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這次鬧很大的海盜SF750開機時炸裂事件,就是一次側APFC(主動功率因數修正)電路的二極體所使用的絕緣導熱墊絕緣性能變差,導致開機時APFC電路升壓後,該絕緣墊被高壓擊穿,使二極體與散熱片短路而發出火花及爆裂聲
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#氮化鎵GaN #電源管理 #功率因數校正PFC #Cascode #聯結構電晶體
#圖騰柱TotemPole #總諧波失真THD #過流保護OCP
【GaN 功率元件強勢降臨】
被稱為第三代半導體材料的「氮化鎵」(GaN) 新興工藝技術,用於功率因數校正 (PFC)、軟式切換 DC-DC 等電源系統設計,以及電源轉接器、太陽能逆變器、伺服器和通訊電源等各種終端應用,可實現矽元件難以達到的高電源轉換效率和功率密度水準,為交換式電源供應器和其他在能效及功率密度至關重要的應用,帶來性能的飛躍。GaN 具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度,能負載的工作溫度也更高。
GaN 提供高電子遷移率,意味著切換過程的反向恢復時間可忽略不計,故擁有低損耗、高切換頻率優點。前者加上寬頻元件的高結溫特性,可降低散熱量;後者則可減少濾波器和無源元件的使用 (如:變壓器、電容、電感等),進而減少系統尺寸和重量、提升功率密度,有助設計人員實現緊湊的高能效電源方案。同為寬頻元件,GaN 比 SiC 成本更低、更易於商業化,具備廣泛採用的潛力,包括:工業、電腦、通訊、LED照明及網路領域的各種高壓應用。
採用單排直插 TO-220 封裝,更易於根據客戶現有製板能力進行整合。基於同一導通電阻等級,與高壓矽 MOSFET 相較,第一代 600 V 矽基 GaN (GaN-on-Si) 元件即可提供 4 倍以上的閘極電荷、更優的輸出電荷、同級輸出電容和 20 倍以上的反向恢復電荷,未來技術水準將持續演進。Cascode 相當於由 GaN HEMT 和低壓 MOSFET 組成:GaN HEMT 可承受高電壓,過電壓能力達到 750 V,並提供低導通電阻;低壓 MOSFET 則提供低閘極驅動和低反向恢復。
HEMT 是高電子遷移率電晶體的英文縮寫,通過二維電子氣在橫向傳導電流下進行傳導。使用 600 V GaN Cascode 的三大好處是:
★具有卓越的自體二極體特性:串接建立在低壓矽技術上,且反向恢復特別低;
★容易驅動:設計人員可使用像普通 MOSFET 一樣的傳統閘極驅動器,採用電壓驅動,且驅動由低壓矽 MOSFET 的閾值電壓和閘極電荷決定;
★高可靠性:透過長期應用級測試,且符合 JEDEC 行業標準——零個擊穿、最終的漏電流和導通電阻皆低於規格門檻。
在連續導電模式 (CCM) 升壓 PFC 拓墣中,在 200 KHz 和 120 Vac 輸入的條件下,Cascode GaN 較超結合Si (SJ Si) 提升近 1% 的效率;隨著頻率升高,GaN 的優勢將更明顯。採用 GaN還可實現「圖騰柱」(Totem Pole) 電路,較傳統 CCM 升壓 PFC 提供更高能效。高能效的電源轉換有利於軟切換電路拓墣結構回收能量,如:相移全橋、半橋或全橋 LLC、同步升壓等。受惠技術發展和市場成長,有望降低 GaN 的採用成本。
延伸閱讀:
《安森美半導體推進更快、更智慧和更高能效的GaN電晶體》
http://compotechasia.com/a/ji___yong/2016/0428/31784.html
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圖檔取材:pixabay.com
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