東芝繼金融海嘯與財報造假醜聞之後,面臨重大虧損危機,導致必須出售半導體業務股權以解燃眉之急。昔日的半導體霸主淪落至此,令人不勝唏噓。另一方面,東芝買家們競爭激烈,這些出身各異的競標者出手動機為何?請見DIGITIMES顧問林育中分析。
東芝買家群像
文/DIGITIMES顧問林育中
東芝要分割旗下半導體成為獨立公司東芝Memory,商情一日數變。一時驚濤裂岸,捲起千堆雪。東芝半導體是集團中的金雞母,獲利能力及競爭力都還在。原來想只出售部份持股以解燃眉之急,只是財務的實況可能比想像中的嚴重,所以青山遮不住了。現有的想法是全部股份開放,出售給數家公司。
但是從買家的看法呢?買家有鴻海、SK海力士、威騰、美光科技、蘋果、微軟,以及數家私募基金等超過10家業者。這些業者樣態各異,他們又怎麼看?
東芝半導體是獲利的,短期間沒有投資風險的問題。但是成立獨立公司、公開上市,大股東會被約束不能賣股。純就投資而言,這個至少是個中、長期投資。雖然可能有更長期的展望,但這樣將一部份資金停滯在一個地方,需要有能支持中、長期投資策略上的理由。
SK海力士是最有動機去買東芝半導體股票的。東芝只有NAND、缺DRAM,SK海力士過去比較關注於DRAM與NAND製程研發的綜效,於3D NAND的研發有些延後,所以二者在記憶體市場策略聯盟,產品互補,而且二者在新世代記憶體MRAM也是聯手開發。SK海力士的母公司SK又多金,所以即使只是持部份股權投資,也有充份理由。與此相似的還有美光。美光過去NAND的研發伙伴是英特爾,但在3D NAND的研發也顯著的落後於三星和東芝。雖然與英特爾也有類似的3D Xpoint,但是密度、成本顯有不及,離量產階段也尚遠。只是美光若插手入股,東芝與SK海力士的既有關係就得重新調整。
威騰只是在走它的既定路程。3D NAND問市後,傳統硬碟被3D NAND SSD取代只是時間的問題-市場預計交叉時點是2018年。之前它已買了與東芝系出同源的新帝,之後對東芝感興趣是情理之中的事。即使只取得部份股權,能單只是在NAND的供應上取得些微的優勢都值。
鴻海既然向上整合入面板廠群創、夏普,進一步的對東芝表示興趣也不意外,這些電子器具原材料的取得可以增加其在代工價值鏈的縱深,只是與其有相同的想法的顧客蘋果在此要小較量一番。
微軟的想法如羚羊掛角、無跡可尋。雖然微軟以前與東芝也有在物聯網、系統安全等方面的合作,但都不足以支持這樣核心業務的擴充。
最令人費解的是私募基金。以純粹投資獲利為目標的私募基金來看,不會滿意於只當股東這樣簡單的安排。這樣規模的投資,更常想的是以管理、組織重整、分割等為手段增值再出售公司,獲利會高得多。原先東芝只開放部份股權出售而他們居然表示有興趣,讓旁觀者「都有些納悶,無不疑心」。也許這些私募基金的財務觸角早已偵知東芝財務狀況的嚴峻情勢。但是有些私募基金是不是只是一個影武者?令人費思量,有待觀察。
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三星研發出運算記憶體MRAM
https://bit.ly/3tJqsmT
三星半導體宣佈,通過結構創新,實現了基於MRAM(磁阻式隨機存取記憶體)的記憶體內
運算(In-Memory Computing),進一步拓展了三星下世代低功耗AI晶片技術。
傳統的運算體系中,記憶體中的資料要轉移到處理晶片的資料運算單元進行處理,因此其
對於頻寬、延遲的要求非常高。
至於記憶體內運算則是一種新的運算模式,也可以當作記憶體與運算一體化的表現,也就
是說,在記憶體中同時執行資料儲存、資料運算處理,無需移動資料。同時,在記憶體網
路中的資料處理是以高度平行的方式執行,因此提高性能的同時,還能大大降低功耗。
如果與其他記憶體比較,MRAM在運行速度、壽命、量產方面都有明顯優勢,功耗也遠低於
傳統DRAM,關鍵是還具有非揮發的特點,斷電也不會丟失資料。
可是MRAM也有其缺點,因為很難用於記憶體內運算,使得在標準的記憶體內運算架構中無
法發揮低功耗優勢。為了克服這一點,三星研究團隊設計了一種名為“電阻總和”(
resistance sum)的新型記憶體內運算架構,取代“電流總和”(current-sum)架構,
進而成功開發了一種能演示記憶體內運算架構的MRAM陣列晶片,命名為“用於記憶體內運
算的磁阻式記憶體交叉陣列”(crossbar array of magnetoresistive memory devices
for in-memory computing)。
目前來看,這一交叉陣列成功解決了單個MRAM小電阻問題,從而降低功耗,實現了基於
MRAM的記憶體內運算。按照三星研究,在執行AI運算時,採用MRAM記憶體內運算可以實現
98%的筆跡辨識成功率、以及93%的人臉辨識準確率。
根據Report Linker研究,全球MRAM市場2021年至2026年的年複合成長率將達25%,並於
2026年達到62億美元的規模。該市場的主要驅動力是對穿戴式裝置的需求增加、物聯網設
備的高度採用、運算技術的進步、對更高記憶體空間的需求以及縮短啟動時間等因素。除
了三星之外,Avalanche、CROCUS、Honeywell以及Everspin都是主要MRAM製造商。
最新研究顯示,除了Toggle MRAM與自旋轉移力矩式磁性記憶體(STT-MRAM)之外,自旋
軌道力矩式磁性記憶體(SOT-MRAM)正在崛起。近年來包含英特爾、IMEC、三星及台積電
都投入SOT-MRAM相關研究,不過量產仍需10年時間,也是須持續關注的趨勢之一。
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