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研發腳步不停歇！三星才剛剛採用 GAAFET 技術，更新一代先進製程技術 CasFET 已經開始開發，市場認為，CasFET 技術也可能是電晶體技術發展的下一步。
#先進製程 #gaafet #casfet #FinFET #台積電
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gaafet 在 黃欽勇 Facebook 的最佳貼文
晶圓代工業的競爭：一個不難理解的習題
進入7nm之後，技術製程的競爭，必須融合材料與設計結構的創新，難度當然很高。也因為進入障礙很高，可能的競爭模式只有幾種。三星想要彎道超車，要面對「記憶體大循環何時結束」、「資本支出可以無上限嗎」、「客戶是否買單」、「生態系布建的軌跡」等等這幾個挑戰。
我的看法：到2030年，三星晶圓代工業務如果能有台積電的一半，就算大勝了！
gaafet 在 TrendForce Facebook 的最讚貼文
【Market Commentary】As semiconductor process technologies approach physical limits, chip manufacturing must rely on breakthroughs in transistor architecture, backend packaging technology or material development in order to improve performance or reduce power consumption.
Both Samsung and TSMC, the only foundries with leading-edge process technologies at the moment, are expected to mass produce with the 3nm process in 2H22, with Samsung being the first to adopt GAAFET architecture while TSMC sticks with FinFET at the 3nm node.
TrendForce believes that, for the first wave of 3nm products, TSMC will primarily manufacture chips for HPC applications, whereas Samsung will instead focus on smartphone applications.
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gaafet 在 [新聞] 三星已用GAAFET技術打造出SRAM芯片，預計- 看板Stock 的推薦與評價
原文標題：
三星已用GAAFET技術打造出SRAM芯片，預計2022年用在3nm工藝上
(請勿刪減原文標題)
原文連結：
https://www.expreview.com/78337.html
(請善用縮網址工具)
發布時間：
2021-3-13 09:54
(請以原文網頁/報紙之發布時間為準)
原文內容：
三星在去年年初就宣佈他們攻克了3nm工藝的關鍵技術GAAFET全環繞柵極晶體管工藝，預
計會在2022年正式推出這種工藝，目前關於此工藝的消息甚少，tomshardware報導說三星
在IEEE國際集成電路會議上，三星公佈了3GAE工藝的一些細節。
GAAFET其實有兩種，一種是使用納米線作為電子晶體管鰭片的常見GAAFET，另外一種則是
以納米片形式出現的較厚鰭片的多橋通道場效應電子晶體管MBCFET。兩種都在柵極材料所
在側面上圍繞溝道區，納米線與納米片的實現方式很大程度上取決於設計，一般而言都用
GAAFET來描述兩者。
GAAFET其實早在1988年就出現了，這種晶體管的結構使得設計人員可以通過調節晶體管通
道的寬度來精確地對其進行調諧，以實現高性能或低功耗。較寬的薄片可以在更高的功率
下實現更高的性能，而較薄/較窄的薄片可以降低功耗和性能。在FinFET上實現類似的設
計時，工程師必須使用額外的鰭來改善性能。但是在這種情況下，晶體管通道的“寬度”
只能增加一倍或兩倍，精度不是很好，有時效率很低。
三星表示，與7LPP工藝相比，3GAE工藝可在同樣功耗下讓性能提高30%，同樣頻率下能讓
功耗降低50%，晶體管密度最高可提高80%。
三星展示了首個使用MBCFET技術的SRAM芯片，這個256Gb芯片的面積是56mm2，與現有芯片
相比這個用MBCFET技術的寫入電壓降低了230mV，可見MBCFET確實能讓降低功耗。
SRAM其實是比較簡單的芯片，目前還沒有見到三星能用這種技術生產複製芯片的能力，但
相信給些時間三星就能解決這問題，預計3nm MBCFET製程會在2022年投產。
心得/評論： ※必需填寫滿20字
三星已經做出使用MBCFET技術的SRAM
預計3nm MBCFET製程會在2022年投產
台積電在3nm則是繼續使用FinFET也是在2022年投產
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