#電子設計自動化EDA #物聯網IoT #人工智慧AI #技術電腦輔助設計TCAD #光學趨近修正OPC
【軟、硬體的能量加乘】
人們對物聯網 (IoT) 和人工智慧 (AI) 的想像是什麼?有半導體先進給了這樣的答案:「今後我們所處的是 Smart Everything 世界,而數位化智慧是成敗關鍵」,並對 I、O、T 三個縮寫字母做出絕妙新解:它有 Immensely (無限)、Optimistic (樂觀) 和 Thinking (思考) 的涵義,需要軟、硬體同步到位。其立論基礎是:由感測器將物理/生理訊息轉化成數位訊號後,須由軟體智能操控;而隨著製程奈米化,對低功耗要求會更嚴苛,軟體的協作支援更形重要。
然而,與此同時,智能裝置的晶片效能必須有所提升,且功耗及價格持續降低。「客戶最終目的是開發產品,需要多方合作、能量加乘才能實現」;另智能系統日趨複雜,資訊保全將面臨更大的挑戰。在硬體方面,用於智慧電表、NFC 行動支付和嵌入式 SIM 等低功耗嵌入式應用的處理器,須劃分安全及非安全功能,且運行指令時序難以破解;在免費線上開源軟體方面,須考慮傳輸協定與程式庫的保全機制,才有資格談「安全」二字。
延伸閱讀:
《Synopsys:開發 SoC「矽晶到軟體」須面面俱到》
http://compotechasia.com/a/celue___/2016/1014/33752.html
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#新思科技Synopsys #ARC nSIM #ARC xCAM #DesignWare ARC SEM110 / SEM120D #embARC開放軟體平台 #SecureShield
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(二-2)
根據Moore's law,每18個月單位面積上的電晶體數目要倍增,所以每一個世代的製
程評估,大部分的情況下會先將前一個世代的光罩pitch (line + space)乘以0.7後
run一次看有哪些可能的問題.這裡指的並不是全部run完,而是評估黃光的部分那
些pitch可以做,哪些不行.可能要更換光阻,或是導入新的製程.對黃光而言,更換
光阻是較常見的做法,但是一但決定更換,黃光就要跟OPC (optical process
correction)合作評估一系列的pitch來得到電腦模擬光阻model所需要的參數.
OPC是photo內很重要的一環,仰賴其電腦的模擬來對光罩上的pattern作修正以得
到較佳的曝光結果 (較好的pattern長像或是製程window,也就是容忍犯錯的空間).
若是新的光阻與OPC無法得到需要的結果,就會跟designer協調更動layout的可能,
這樣就不需要用到process window不足的pitch.此處我們會制定所謂的rule,也就
是規定哪些長像的pattern或是pitch由於window不足不准畫,所以當rule制定越多,
代表對designer越不friendly,也就越不適於代工.所以photo的主要工作就是如何將
rule減少而又有一定的process window.
當上述都確定好了後,就會開始處理defect的問題 (此處要聲明,中間在評估的過程
都會看defect, 只是這裡是利用前一個世代的光罩或是單一pattern的光罩來看).
所以在這裡會有針對這個世代的光罩layout來看defect.可以把defect定義為一切
可能會影響良率的東西都叫defect.譬如說,在曝完光後可能會有未去除乾淨的
particle,或是水漬,或是未曝開的pattern,又或是被顯影液沖倒的pattern.
在此處,知道現在在處理的光罩的type與layout有助於解defect.譬如說,對metal而言
是少部分的光阻被曝開,所以光阻在wafer上有大部分,所以可以用較大的轉速或顯影液
與水的流量把defect沖掉或甩出去.但是對oxide layer而言,大部分的地方是被曝開
的,所以這樣子的recipe就會有部分的pattern倒塌的可能.所以一般是先針對各個
不同的layer有optimized過的顯影recipe,然後再以相似的layer type對recipe作
align,越少的recipe數量越有助於Fab的維護.
總結而言,這部分的工作就是調整出恰當的比例.在layout的部分,先找出全部的pitch
的window,針對弱點處以光阻,OPC,pattern的長像與距離等去optimize,對於無法做到
的部分訂出rule去避免designer使用.而在defect的部分,去調整顯影液,水,顯影
過程的時間與轉速等等去optimize顯影recipe的每一個step以得到最少的defect
count.
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