Body effect: 在body施加比S極更低的電壓空乏區往通道延伸空乏區變大使閥值電壓(Vt)變大short channel effect:在D極施加高電壓D極的空乏區變大通道變 ... ... <看更多>

Re: [請益] 電子學的body effect跟短通道效應的疑問– 看板Electronics – 批踢踢實業坊, 2020/8/8. Re: [理工] [半導體]解釋名詞– 看板Grad-ProbAsk – 批踢踢實業坊 ... ... <看更多>

他大概是想要講：台灣人常常喜歡講"短通道效應"不夠學術，但他又把"短通道效應"誤移植成"Narrow ... 蘇大師說得的確是正式的學術名詞, 但解釋是錯的! ... <看更多>

為什麼一樣是逆偏使空乏區變大， 但一個解釋成通道變短，另一個解釋成通道受損? ... 短通道效應（英語：short-channel effects）是當金屬氧化物半導體場效應管的導電溝 ... ... <看更多>

以NMOS為例） Body effect： 可以想成S的電壓較高（相較於SB都解Gnd)，會從通道吸走一些電子，因此G需要吸引更多的電子才能維持反轉通道（Vt上升）， ... ... <看更多>