晶圓代工大廠都想搶先布局的技術✨
第三代寬能隙半導體2021嶄露頭角，5G、電動車、再生能源、工業4.0發展上都需要它！
💡透過宜特小學堂，帶你來了解「第三代寬能隙半導體」吧 💡
👇👇想知道更多內容👇👇
https://technews.tw/?p=736674
寬能隙半導體wbg 在 Technews 科技新報 Facebook 的最佳解答
寬能隙半導體wbg 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 的最佳貼文
#寬能隙半導體WBG #氮化鎵GaN #功率器件 #散熱
【縮減電源環路電感，有利 GaN 快速關關】
氮化鎵 (GaN) FET 實現了高頻電源轉換器設計。憑藉出色的開關特性和零反向恢復損耗，這種羽量級設計具有更高的功率密度和更小的尺寸。為充分利用 GaN 的快速開關速度，須更大限度縮減電源環路電感。
這需要仔細考慮 PCB 佈局並對 GaN FET 採用電感超低封裝。良好的熱設計對於電力電子轉換器非常重要，理想的熱傳遞應在熱量流程中提供良好的導熱性和超低的熱阻，特別是在＞1kW 的較高功率級別應用。
延伸閱讀：
《GaN 功率級設計的散熱注意事項》
http://www.compotechasia.com/a/tech_application/2020/1209/46621.html
#德州儀器TI #LMG341XRxxx #LMG3410R050 #LMG3410R070
寬能隙半導體wbg 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 的最佳貼文
#寬能隙半導體WBG #碳化矽SiC #氮化鎵GaN #功率器件 #5G通訊 #功率放大器PA #量子接面電晶體QJT #USB-PD #原子層沉積ALD
【SiCＸGaN 卡位戰起跑！】
儘管目前 SiC 晶片成本仍較 IGBT 貴上 4～5 倍，然著眼於碳化矽 (SiC) 功率器件將受惠於全球交通電氣化轉型的不斷前行——從火車、有軌電車和無軌電車，到公共汽車、小汽車和電動汽車充電樁，微芯科技 (Microchip) 宣佈推出 SiC 功率模組套件，讓開發者無需再單獨採購功率模組和閘極驅動器 (包括用於成品生產的閘極驅動器)，不必在檢驗功率模組後又花費時間開發自己的閘極驅動器，可大幅縮短數個月的開發週期。
另有鑑於目前氮化鎵 (GaN) 市場，功率電晶體和驅動 IC 通常是離散元件，使設計人員必須學習兩者間的協同作業以達到最佳性能，意法半導體 (ST) 推出全球首個單封裝整合矽基驅動晶片和 GaN 功率電晶體的解決方案；而恩智浦半導體 (NXP) 亦為 5G 射頻功率放大器 (PA) 於美國錢德勒啟用全新 6 吋 (150mm) 氮化鎵晶圓廠，針對氮化鎵技術進行深度最佳化，改善半導體中的電子陷阱 (electron trapping) 問題，藉由一流的線性度提供高效率和增益。
製程方面亦有所突破。派科森 (Picosun) 公司利用原子層沉積 (ALD) 薄膜塗層解決上述困境：將預清洗方法與高介電常數和大能隙絕緣子結合使用可降低介面陷阱密度。與此同時，為滿足寬能隙設備測試需求，量測大廠太克科技 (Tektronix) 推出新型參數測試系統，可為晶圓廠最大程度減少投資並最大化每小時的晶圓產出。寬能隙半導體也牽動變壓器產業的生態，為平面變壓器 (Planar Transformer) 帶來需求轉捩點。
延伸閱讀：
《SiC、GaN 初入成長期，創新方案輩出》
http://www.compotechasia.com/a/feature/2020/1112/46363.html
#微芯科技Microchip #AgileSwitch數位可程式設計閘極驅動器 #SP6LI #意法半導體ST #MasterGaN #恩智浦NXP #太克Tektronix #S530 #佩頓Payton
寬能隙半導體wbg 在 能隙半導體的世界，並尋找切入市 - Facebook 的推薦與評價
第三代半導體氮化鎵(#GaN)、碳化矽(#SiC) 在2021 年可以說是嶄露頭角的一年。近期引起眾多話題的寬能隙(WBG)元件適用於包括行動通訊設備如5G 基地台 、電動車、 ... ... <看更多>
寬能隙半導體wbg 在 第三代寬能隙半導體到底在紅什麼?【宜特解你的痛EP.16】 的推薦與評價
在 半導體 材料領域中，第一代 半導體 是矽(Si)，第二代是砷化鎵(GaAs)，而2021年嶄露頭角的第三代 寬能隙半導體 (Wide Band Gap， WBG )指的是碳化矽(SiC) 和 ... ... <看更多>