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lmg341xrxxx 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 的最佳貼文

COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 By COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化

2020-12-11 14:30:00 有 74 人按讚
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#寬能隙半導體WBG #氮化鎵GaN #功率器件 #散熱

【縮減電源環路電感，有利 GaN 快速關關】

氮化鎵 (GaN) FET 實現了高頻電源轉換器設計。憑藉出色的開關特性和零反向恢復損耗，這種羽量級設計具有更高的功率密度和更小的尺寸。為充分利用 GaN 的快速開關速度，須更大限度縮減電源環路電感。

這需要仔細考慮 PCB 佈局並對 GaN FET 採用電感超低封裝。良好的熱設計對於電力電子轉換器非常重要，理想的熱傳遞應在熱量流程中提供良好的導熱性和超低的熱阻，特別是在＞1kW 的較高功率級別應用。

延伸閱讀：
《GaN 功率級設計的散熱注意事項》
http://www.compotechasia.com/a/tech_application/2020/1209/46621.html

#德州儀器TI #LMG341XRxxx #LMG3410R050 #LMG3410R070

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COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化

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